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[参考译文] BQ28Z610-R1：BQ28Z610-R1 MOS 烧写问题

admin
Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ28Z610-R1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1261795/bq28z610-r1-bq28z610-r1-mos-burn-issue

器件型号：BQ28Z610-R1

您好  

使用 BQ28Z610-R1进行客户设计时、进行短路测试时烧写 MOS。

1.电池容量11000mA、总电压8.9V

2. MOS 型号：AOC3870C * 4

请帮助检查原理图。

谢谢

星形

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Star：

    电子器件故障的原因可能有很多、但对于电池短路、需要考虑和测试以下一些可能的原因：

    1. 不命令关闭 FET、并且由于
    2. FET 关闭速度太慢且损坏
    3. FET 关断速度过快、电感尖峰会损坏 FET 或 BMS 电路
    4. 并联 FET 会在关断期间振荡并损坏。

    请参阅此有关 SCD 调试的常见问题解答。  如何调试短路测试导致的 FET 故障

    我很想说这种行为是由于上面第4点的要点。 每个 FET 的栅极都需要较小的栅极电阻以避免振荡。 另请参阅此应用手册- 成功并联功率 MOSFET 的技巧

    此致、
    何塞·库索