您好、TI：
我使用 UCC21542驱动半桥模块、最终会提供相关原理图。 电桥的每个臂都包含两个并联的 MOSFET。 每个臂的辅助电源为15V (隔离式)。 使用齐纳二极管为栅极驱动器生成+12V/-3V。 这意味着 VDD 为12V、VSS 为-3V。
MOSFET 为 NVH4L040N65S3F、数据表为 attached.e2e.ti.com/.../0815.MOSFET.pdf
1)每个 MOSFET 的 Qg_total 为160nc@10V。 开关频率为50kHz。 因此，MOSFET 充放电的总功耗约为2*160e-9*1.5*15*50e3*2=0.72W。 是这样吗？ G-S 之间的外部电容为100pF、可以忽略。
2) 2)栅极电阻器由两部分组成：在每个 MOSFET 的 G 端子和 S 端子上放置两个单独的1Ω 电阻器；在二极管用于减少关断电阻器时、公共1Ω 电阻器用作另一个导通电阻器。 这样、如果 两个 MOSFET 相等、则等效导通电阻为2Ω、而关断电阻为1Ω。
3) 3) 每个 MOSFET 的内部栅极电阻为1.9Ω。 因此、等效内部栅极电阻器为0.95Ω。
4) 4)我被数据表提供的 UCC21542功耗计算公式弄糊涂。 我想 UCC21542不应该超过其限值了。
但是、当直流链路总线电压增加到150V、而负载电流为30A 直流时。UCC21542损坏、但 MOSFET 正常。
您能帮助解决我的问题吗？
1) 1) UCC21542损坏的最可能原因是什么？
2) 2)功耗是否超过 UCC21542的限制？
3) 3)在 G 端子和 S 端子上同时放置电阻器是否正确？ 我认为并联两个 MOSFET 应该是必要的。
4)我会尝试增加外部导通电阻器、但我不确定这是否是正确的解决方案。
谢谢、此致。
