[参考译文] BQ76952：关于 bq76952的接地

尊敬的 JH：

我有点困惑、为什么您要将 MCU 引用为 P-而不是 B-。 您提到的哪个设计将 MCU 连接到 P-而不是 B-？ 在我们的高侧参考设计 TIDA-010208中、MCU 的 DVSS 引脚与 AFE 一样连接到 GND。 我建议调整您的设计、使 MCU 和 AFE 共享同一个接地。 SDA/SCL 的 GND 应为 B-。 如果您按原样保持两个不同的 GND、那么在电流变为高电平时您将看到您描述的问题。 不过、解决方案是将 MCU 设置为 B-、而不是将 AFE 设置为 P-。

2.关于将 AFE 的 GND 置于 P-而不是 B-处，我建议不要这样做。 为了使器件正确测量、VC0的电压必须在器件的内部 GND 基准的0.5V 范围内。 如果 GND 以 P-为基准、则很可能在大电流期间、P-和 VC0之间的电压差足够大、导致测量不准确。

此致！

A·内德尔费尔德

您好，Asher M ü，

感谢您的回答。

感谢您的回答。
在设计原理图时、B-和 P-之间有一个0.5mR 采样电阻器、我参阅 TI 官方网站上的 bq76952数据表文档、该文档位于第68页。
另请参阅 TI 提供的演示 BQ76952EVM 原理图。 项目名称为 BMS029B。 MCU 的接地连接到 QGND、该 QGND 来自 AFE 上的 PGND。 这两种位置都描述了 AFE 通过 IIC 与外部进行通信、并且外部 MCU 的接地基准为 P-。

您好，Asher M ü，

除了不准确的 VC0测量之外、我正在评估如何将 AFE 的 GND 移至 P-、还有其他注意事项需要考虑吗？ 我认为、电流会导致检测电阻的电压发生变化、进而导致 AFE 的基准接地发生变化、对吧？
出于何种考虑、为何不建议将 GND 移至 P-？

您好，Asher M ü，

因为 MCU 引入了其他的控制芯片。 如果将 B-用作接地、控制信号将波动、因此其接地只能选择 P-。
现在的问题是、当我对 PCB 进行布线时、由于布局限制、AFE 的接地 B-和 MCU 的接地 P-太远了、因此我评估了将 AFE 的接地变为 P-。
1.如您所说、如果 AFE 的接地端变为 P-、则会导致 VC0的测量误差(即第一个电池的电压)、同时 SRN 和 SRP 的测量采样是否不正确？ 根据我的理解,SRN 和 SRP 不是差分采样,为什么会有影响?
2.如果 AFE 的接地改为 P-，是否会造成其他影响？

尊敬的 Andria：

在设计原理图时、我评估了将 VSS 移至 P-的影响。 这是我现在想知道的信息。
1.例如、您在回复中所说的内容会导致 VC0测量值发生变化。 您能从等效的内部引脚图中解释一下原因吗？ 我看到了 VC0的等效图、VC0和 VSS 之间将有一个二极管、原因是这样吗？ 采样电阻器产生的电压差是否会导致二极管导通？
2.对于 SRN 和 SRP、我的理解是这两个引脚是差分采样电流。 我不明白它为什么会影响电流测量