主题中讨论的其他器件:LM74800-Q1
我的电路设计为使用两个电源、我希望高电压输入普遍存在。 我已经配置了 LM74801以控制输入、如数据表的第17页和第19页所示。 FET 采用共漏极配置。
我通常使用较低电压源来运行系统、但当我打开较高电压源(比 LV 高5V)时会看到反向电流。 检查设置、我肯定有电流反向流过 Q1 (参考数据表)、在探测理想二极管连接时、我的电压(引脚12)高于低压源(引脚2)、DGATE 比引脚2高12V、用于驱动它。 它为什么不会阻断反向电流?
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我的电路设计为使用两个电源、我希望高电压输入普遍存在。 我已经配置了 LM74801以控制输入、如数据表的第17页和第19页所示。 FET 采用共漏极配置。
我通常使用较低电压源来运行系统、但当我打开较高电压源(比 LV 高5V)时会看到反向电流。 检查设置、我肯定有电流反向流过 Q1 (参考数据表)、在探测理想二极管连接时、我的电压(引脚12)高于低压源(引脚2)、DGATE 比引脚2高12V、用于驱动它。 它为什么不会阻断反向电流?
JediEngineer、您好。
LM74801-Q1仅具有基于比较器的反向电流阻断功能。 如果从 Vout 到 Vin 的反向电流量小于 V (AC_REV) /FET RDS (ON) 则 LM74801-Q1不会阻断反向电流。
仅当反向电流的幅度大于反向电流的值时、LM74801-Q1才会关闭 DGATE 以阻断反向电流 V (AC_REV) /FET RDS (ON)
因此、在 本例 中、当 Vout>Vin 时、如果从 OUT 到 IN 再到充电的电流 Vin = Vout 可能 小于关闭 FET 所需的阈值。 另一个可能的根本原因是输入电源无法灌入反向电流、因此 少量反向电流很容易在 Vin 上建立电压。

另一方面、除了比较器外、LM748x0-Q1还具有线性调节方案、有助于 实现 0A 的直流反向电流。
使用 LM748x0-Q1可解决您的问题。
如需‘此主题的更多了解、请参阅 理想二极管基础知识的第6.1节"线性稳压控制与迟滞开/关控制" 应用手册。
好的、如果我理解正确、对于74801、VAC-REV 为-4.7mV、而 RDSON 为1.5mR、因此我需要在它关闭之前超过-3A ... 如果我这么做、它会保持关闭还是会切换?
关于748x0 -您是否指的是 PLM74810? 这是我唯一看到的一个。。。
我研究748x0系列时、似乎存在同样的问题。 VAC-rev 为4mV、比较器看起来是相同的。 您能确认吗?
您好!
总而言之、
'P'LM748x0-Q1是预发布器件、是原型 IC 的器件型号。 您需要考虑的实际 IC 路径编号是 LM748x0-Q