[参考译文] 适用于 GaN MOSFET 栅极驱动器的隔离式偏置电源解决方案

您好，John，

我们已尝试使用 UCC25800-Q1。 从空载到满载期间、即使 使用齐纳二极管或分流器稳压也无法获得严格的稳压效果(从满载变为空载时、输出端始终会出现1V 变化)。

我们有12个负载(总共7W 的要求)、采用 UCC25800-Q1 时、我们的应用的功率密度会更低。 UCC 25800-Q1的效率非常好

我们的输入电压介于9V 至16V 之间、因此 UCC25800-Q1的输入侧需要升压、这会进一步降低功率密度。

由于我们的应用需要更高的功率密度、您能否为 GaN 驱动器偏置电源提供一种 UCC25800-Q1的替代产品？

此致、
Unnimaya。 V

尊敬的 Unnimaya：  

12个负载是多少？ 它们都集成了 GaN 器件吗？  

请提供更多有关您希望最终实现外观的信息。 我增加了我们的偏置电源团队来提供更多信息。  

此致、

约翰

您好、John：

感谢您的答复。

我们有12个7W 负载

1)。  共源共栅 GaN (12V)的6个 GaN 驱动器、
2)。  2传感芯片(21V)，
3)。  2 DSP 偏置(3.3、5V)、
4)。  1个安全开关(12V)

我们的输入电源为9V 至16V。

我们需要在满载到空载(静态状态)之间进行1%的严格调节、并尽可能提高功率密度。


非常感谢您的及时回应。

此致、
Unnimaya。 V