BQ2562x 系列充电器使用窄 VDC (NVDC)架构、通过 BATFET 将系统和电池分开。 VSYS 的调节方式取决于两个关键条件:充电是启用还是禁用、以及 VBAT 是否大于或小于 VSYSMIN、这是最小系统电压寄存器设置。
数据表中针对两组条件提供了典型系统电压调节规格 VSYS_REG_ACC。 两组条件都包括禁用充电且没有系统电流的情况。 它们根据与 VSYSMIN 相关的 VBAT 电平以及 VSYS_REG_ACC 偏移的参数进行区分。 总结如下:
充电已启用
最初、VBAT < VSYSMIN。 然后、VBAT 上升至高于 VSYSMIN、并完全导通 BATFET。
VBAT 和 VSYS 之间的差异在于 BATFET 的 VDS (on)。 因此、VSYS 调节为 VBAT + VDS (ON)。
VBAT 低于 VSYSMIN。
VSYS 调节为 230毫伏 (典型值) 高于 VSYSMIN 和 BATFET 以线性模式(LDO 模式)运行。
禁用充电
VSYS 已调节 50毫伏 (典型值) 高于 VBAT 当 VBAT > VSYSMIN 时
VSYS 已调节 230毫伏 (典型值) 高于 VSYSMIN 当 VBAT < VSYSMIN 时
需要强调的是、这只有在禁用充电时才适用。 启用充电时、BATFET 成为一个因素、VSYS 的调节方式有所不同;上述条件不再适用。 因此、不同的条件决定了如何调节 VSYS。 与禁用充电类似、它们仍然与最小系统电压有关。
未连接适配器/输入
电池通过 BATFET 直接为系统供电。 根据 VBAT、VSYS 可能不一定保持在 VSYSMIN 以上。