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[参考译文] LMG3422R030：有关应用和实现的说明

admin
Guru**** 1633940 points
Other Parts Discussed in Thread: LMG3422R030
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1255824/lmg3422r030-clarification-regarding-the-application-and-implementation

器件型号：LMG3422R030

您好！

在 LMG3422R030的典型半桥应用中、我看到 S1和 S2的输入有很多差异。 如果我没有弄错、唯一的区别应该是当其到 S1的高输入到 S2应是低电平时。 我不确定2个输入是否有一些其他差异。 但在查看电路实现时、我发现所使用的隔离器具有不同的引脚、另外还有一个 MOSFET MGSF1N02LT1G、仅举几个不同之处。  

您能告诉我为什么两个分行不同吗？

感谢您的帮助、

内哈·阿加瓦尔

  • 0
    TI__Guru**** 1633940 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Neha：

    S1和 S2将与您之前所说的大致相似。  它们都将使用其源极引脚连接到的节点的参考接地、这意味着低侧器件将使用接地作为其参考接地、而高侧器件将使用开关节点作为其参考接地。 除此之外、 原理图所适用的 EVM 还提供使用隔离式偏置电源或自举电源为器件供电的选项。 选择隔离式偏置电源时、不使用 MOSFET、也不需要组装 MOSFET。 这可让您将隔离器减少为四通道隔离器、与高侧相同。 为高侧器件使用自举电源时、MOSFET 需要在启动的初始开关周期内降低低侧器件的压摆率、以增加电荷。 只有在使用自举电源和压摆率 ≥100V/ns 时、才需要这样做。

    此致！
    K·沃尔夫