大家好、
我正在使用具有外部电流缓冲器的 UCC21750以获得更高的输出电流。 在这种情况下、要实现软关断(STO)、需要添加 RC 电路(R_STO 和 C_STO)、如 图 9-13 (数据表第42页)如下所示。
因此、我想问、添加该外部 RC 是否会 对栅极驱动器的导通和关断时间计算产生影响？
例如、要开启 IGBT、OUTH = VDD、 将有电流流经 R_STO 和 C_STO、这将影响开启时间、我是否正确？
尊敬的 Dung：
感谢您提出这个有趣的问题！ 流经 R_STO 和 C_STO 的电流会影响空载上升时间和 MOSFET 的开通时间、具体取决于 C_STO 的大小以及为其充电所需的时间、因为在使用外部 ESD 二极管时会有一些电流流经它、这是 以及用于缓冲器的 BJT 的开启时间。
此致！
普拉蒂克
感谢您的评论。
这是使用和不使用 RC 作为 STO 的栅极电压(VGE)的波形。 可以看出 RC_STO 对 VGE 的上升时间影响很大。 STO 时间越长、开通时间就越长。
- 这似乎增加了 IGBT 的导通损耗吗?
-通过使用电流缓冲器,您有什么建议可以在不影响开关接通时间的情况下增加软关断时间?
尊敬的 Dung：
有趣的是、外部 STO 组件的 RC 需要更多5 6 μs 的导通时间。 我建议选择 R_STO 和 C_STO、从而使时间常数更小。
是的、这确实会增加导通损耗、因此设计需要非常准确。
我们建议使用 MJD44H11/MJD45H11对适用于高达15A 的峰值电流、D44VH10/D45VH10对适合高达20A 的峰值电流。
RSTO 必须至少为(VDD–VEE)/10、因此选择最小 值。
使用外部缓冲器时、必须添加外部元件来实现 STO、而不是正常的关断速度。 CSTO 设置软传输的时序
关闭。
因此、您必须根据所需的 STO 时序进行选择、因为 ISTO 为400mA 且 VDD、VEE 也已设置。
请记住、内部电路也具有软关断功能、因此您无需选择非常高的电容值、因为这会影响 IGBT 的总导通和关断时间。
希望这对您有所帮助！
此致！
普拉蒂克
