[参考译文] BQ76952：具有并行 FET 配置的 DFETOFF 和 CFETOFF 功能

尊敬的 Nathan：

这听起来很奇怪。 如果您通常不单独使用 CFETOFF 和 DFETOFF、并且大部分时间都是同时使用、可以尝试将 Settings：Configuration：DFETOFF Pin Config[Opt4]位设置为高电平。 当该位为高电平时、触发 DFETOFF 将禁用两个 FET、而不仅仅是一个 FET。 您是否尝试手动控制 FET、还是仅用于在充电和放电模式之间交换？

如果您不能证明使用 DFETOFF 是合理的、另一件值得尝试的事情是尝试将 SFET 设置为高电平以查看它是否起作用。 这很可能不会产生影响、但值得尝试确定它是否是并联问题。 如果这两个选项都没有显示出任何差异、您能否分享您的原理图？ 查看栅极驱动环路以及 CFETOFF 和 DFETOFF 的硬件设置会有所帮助。

此致！

A·内德尔费尔德

我们确实需要通过微控制器手动控制 FET、因此 BOTHFETOFF 看起来不可行。  请注意、我忘记指出的一点是、DSG FET 仅在充电器施加电压后才会亮起。  因此、在施加电池电压、不施加充电器电压并且 CFETOFF/DFETOFF 均为高电平时、两个 FET 确实会被禁用。  不过、在这种状态下、只要施加充电器电压、放电 FET 就会导通。

尊敬的 Nathan：

啊、我没意识到它只有在应用充电器时才打开。 这使我认为这可能是硬件的漏电流问题。 您能否分享您的电路设置原理图、并在开通时为我进行以下测量：

DSG 引脚上相对于 VSS 的电压

DSG FET 两端的电压

CP1相对于 GND 的电压

4. CHG 引脚上的电压

5.不是真正的测量、但在连接充电器之前、请检查器件是否处于睡眠状态

同样、如果您碰巧在 BQStudio 上连接该器件、您能否共享已为所有寄存器进行设置的.gg 文件？

此致！

A·内德尔费尔德

您好！

我今天晚些时候就能为您进行这些测量。 就原理图而言，我不能公开张贴，我有没有办法私下向你提供有关部分？

谢谢

尊敬的 Nathan：

我通过 E2E 向您发送了朋友申请。 如果您接受、可以向我发送相关器件。

此致！

A·内德尔费尔德

您好！

我会将原理图私下发给您。  下面是您要求在不同状态下使用 DFETOFF 和 CFETOFF 引脚进行的测量：

观察这些结果、我们似乎根本就没有 DSG 引脚的控制权。

遗憾的是、我们无法在此电路板上使用 BQ studio、而我们要使用微控制器通过 I2C 对 BQ 进行编程。  不过、Settings：Configuration：CFETOFF Pin Config 和 DFETOFF Pin Config 都设置为0x2、Settings：FET：FET Options 设置为0x2C。

请告诉我、我们应该查看的配置是否有任何其他相关寄存器。

谢谢

尊敬的 Nathan：

我在您查看了原理图、找不到可以产生您所看到结果的任何错误。 通常在 REGIN 和 BAT-之间放置一个22nF 电容器以提高性能、但这不会导致您看到的问题。 但是、您提供的数据与 CP1和 CHG 引脚之间存在大量差异。 根据数据、电池电压为36V、充电器电压为48V。 但是、启用 DFETOFF 时的 CP1电压过高。 最多只能产生高于 BAT 引脚的11V 电压。 即使假设在充电时 BAT 电压等于充电器电压、仍然下降7V 短路。 您能否在这三种情况下也尝试测量 BAT 引脚电压？ 如果您启用了 DDSG 和 DCHG 来模仿 DSG 和 CHG 信号、则还可以查看这些引脚是否对 DFETOFF 和 CFETOFF 做出了正确反应。 如果在发送 DFETOFF 和 CFETOFF 后将其关闭、则将 DSG 和 CHG 引脚拉高将会是某种硬件问题。

根据您的数据、禁用 CHG FET (在两个关断期间)与查看 DSG 和 CHG 引脚的实际值与仅禁用 DFETOFF 相比似乎存在相关性。 这使我认为某个位置可能会有漏电流。

此致！
A·内德尔费尔德

您好！

我的错、电路板在使用48V 充电器、但我忘记了在到达 BQ 之前、它已升压到54.5V。  在 DFETOFF 为高电平时、BAT 引脚电压为~54.1V、考虑到这一点、CP1在65V 下似乎更有意义。

我们还尝试将 DSG 引脚与任何其他电路断开、并验证43.8V 实际上来自 BQ 本身(在 DFETOFF 置位时)。  我们还对几个电路板进行了这方面的尝试、以验证是否其中一个 BQ/电路板没有故障、所有这些电路板上都存在这个问题。  我不确定是否遗漏了寄存器设置？

谢谢

尊敬的 Nathan：

啊好的、这更解释了为什么您看到65V。 如果不对充电器进行升压、这将是一个更大的问题。 很有意思的一点是、听说该引脚默认为输出43.8V 电压。 您是否已确认它们是 DFETOFF 信号和板载 BQ 芯片之间的导通性？ 对于类似的字符串、您是否可以在 DFETOFF 和 CFETOFF 均生效时检查0x7F FET 状态寄存器、以查看器件是否认为 DSG 生效？

我可以想到会影响 DSG FET 运行的主要寄存器是 CFETOFF/DFETOFF 配置(但您的配置似乎没问题)、FET 选项、Settings：FET：Chg Pump Control[SF_MODE]和体二极管保护寄存器(由于 SFET=0、应将其禁用)。 您能否共享用于写入 CFETOFF 和 DFETOFF 的代码以及对其进行调用的部分？ 最好知道您使用的是提供的 TI 功能还是定制功能。

使用 CFETOFF 时、我注意到 CFET 两端的电压仅为0.3V。 不过、该值不应超过、因为电池电压为36V、充电器电压为54V、从而留下18V 的差分电压。

此致！

A·内德尔费尔德

您好！

是的、我们已确认 DFETOFF 和微控制器之间的连续性。   

查看 FET 状态寄存器、报告的 FET 状态准确地反映预期状态(FET 状态报告 DSG 为0、但仍在 FET 栅极上测量到43V)。   

我们将使用自己的代码通过 I2C 配置 BQ。  此代码在 BQ 评估板上进行了测试和验证、在允许微控制器配置器件后、我们可以在 BQStudio 中通过 BQStudio 连接到该代码、BQStudio 报告了正确的值。  我们还将引线连接到了我们电路板的一条 I2C 线、并能够以这种方式将该 BQ 连接到 BQStudio、再次看到按照我们的预期配置的值。

使用 CFETOFF 时、CFET 两端的电压为0.3V、因为充电电压会被我们设计中的另一个 FET 阻止。  因此在放电状态下、只有电池电压应该流经 CFET。

对于您提到的其他寄存器、我们的配置如下：

• FET 选项：0x2C
• 设置：FET：Chg Pump Control：0x1

谢谢

尊敬的 Nathan：

CFET 路径上还有另一个 FET、是否有任何其他电路与 DFET 路径连接重要？ 同样、CFETOFF 是否可以控制您刚才提到的充电器和发送给我的电路之间的另一个 FET？ 寄存器是正确的、因此很可能是硬件中某种形式的泄漏电流、所以如果您分享的两个图像中没有提供放电和充电环路的任何信息、都将非常有帮助。

我在原理图中注意到的一点是、几乎每个连接都使用 BAT-作为 GND、但 SRP 和 SRN 之间都有一个 GND 符号。 我只想再次检查 BAT-和 GND 符号是否连接在原理图上的某个位置。 这种更改不是必需的、但通常最好在 REGIN 和 BAT 之间连接一个电容器、通常为22nF 左右。

最佳
A·内德尔费尔德

您好！

我在 PM 向大家发送了一个额外的原理图位、显示了 GND 和 BAT-之间的连接。  我们确实也打算添加22nF 电容器、但正如您提到的、这应该与此问题无关。

充电路径中的另一个 FET 未连接到 CFETOFF、路径中的其余组件将由我们的微控制器控制、因此充电电压在整个链中会进一步受阻。  放电路径在 BQ 和系统电源总线之间还有一个额外的阻滞器、我们可以测量该阻滞器一侧的部分电池电压(仅因为 BQ DFET 44V)和另一侧的充电器电压。

谢谢

很高兴听到它成功了；祝您的项目好运！