团队、您好！
我计划在我的一个项目中使用 UCC21710。 我对 UCC21710-Q1当前的引脚有几个问题。
我已经浏览了 UCC21710-Q1 IC 的数据表。 它具有过流保护引脚。 (引脚编号2、OC)
我想了解如何针对 SiC MOSFET 使用此引脚。
我们是否有关于 SiC MOSFET 的此 IC 的任何应用手册？
IGBT 可提供大多数数据。 但是、我们无法在 SiC MOSFET 中使用去饱和功能、而德州也不推荐这种功能。
我想了解如何针对 SiC MOSFET 使用此引脚。
我计划在 MOSFET 桥臂中配合分流电阻使用此引脚。
我们是否有关于 SiC MOSFET 的此 IC 的任何应用手册？
谢谢。此致、
B·舒本
+91 8484 860 263
尊敬的 Shubham：
请参阅以下典型值：
Rshunt 的值选择在很大程度上取决于正在使用的 SiC MOSFET 及其 I-V 曲线。 如果您能提供这些详细信息、我们可以为您提供更详细的指导。
此致！
普拉蒂克
尊敬的 Shubham：
感谢您的跟进问题和详细信息。
Rs =(0.7V-0V)/20A = 35 mΩ。 这就是根据需要检测的电流 来设计 Rshunt 以实现过流保护的方法。
RFLT 和 CFLT 只是 R 和 C 滤波器、上面推荐的值应该没有问题。 需要注意的一点是 C_FLT 值、我们提供范围的原因是、如果使用100pF 电容器、响应时间将更快、 但是噪声性能不如10nF 电容器好、但使用10nF 电容器会增加 OC 引脚检测的 RC 时间常数。
如下所示、该器件受 RC 滤波器的影响、因此您需要根据所需的响应速度和希望在 OC 引脚上滤除的噪声量来选择电容值。
为了回答第二部分问题、我们设置了抗尖峰脉冲滤波时间"tOCFIL"-(典型值120ns)、在此时间之后、在检测到 OC 后 OUTH 变为高阻态模式。 检测到 OC 且 IC 中的 FLT 引脚变为低电平之后的时间由"tOCFLT"-(530ns)给出、该时间远短于 SiC MOSFET 的短路耐受时间、然后我们具有软关断机制、该机制在栅极 信号开始变为低电平、直到栅极电压达到 VCLAMPTH、然后当 OUTL 变为低电平时。
您不必切断 PWM 线路或电源信号、因为一旦与 FLT 进行通信并且 nFLT 引脚下拉至低电平、栅极驱动器 OUT 被下拉至低电平。
我们相信并希望这能解答您的问题。 如果您还有其他问题、敬请告知。
此致！
普拉蒂克
