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[参考译文] LM5050-1:如何缓冲 LM5050栅极引脚、以驱动具有大 Qg 的 FET 栅极。

Guru**** 2563960 points
Other Parts Discussed in Thread: LM7480-Q1, LM5050-1, LM74700-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1252552/lm5050-1-how-to-buffer-lm5050-gate-pin-to-driver-fet-gate-which-has-large-qg

器件型号:LM5050-1
主题中讨论的其他器件: LM74700-Q1、LM7480-Q1

大家好!

我的一位客户正在考虑将 LM5050-1用于其下一个产品。

他们还考虑使用4个并联的 FET (ISC027N10NM6)、作为连接到 LM5050-1的栅极引脚的 FET。

ISC027N10NM6
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ISC027N10NM6-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017babb690f45f94

我认为 LM5050-1无法 通过 GATE 引脚 直接驱动4个 ISC027N10NM6、因此需要一些缓冲电路来驱动 FET。

您能否告诉我通过栅极引脚驱动 FET 的任何基准电路?

非常感谢您的答复。

此致、
和也。

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    尊敬的  Kazuya:

    LM5050-1可以驱动多个并联的 FET、无需任何额外的外部电路。 LM5050-1的栅极驱动强度仅为32uA、略微低于该值、因此考虑到控制器必须驱动的总栅极电容的增加(由于更多的并联 FET)、FET 将缓慢导通。

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    您好 Praveen:

    非常感谢您的答复。

    每个器件的 FET Qg 为58nC。 因此、总共4个 FET 为224nC。
     在这种情况下、将使用以下公式计算栅极引脚从4.5V 到0V 的瞬态时间。

    T=Q/I=224nC/32uA=7ms。

    我想这意味着反向电流将在7ms 内流动。

    我想这是很长的一段时间。 FET 也会被加热。

    反向电流的最大时间是否有任何计算方法?

    再次感谢大家、此致、
    和也。

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    尊敬的 Kazuya:

    FET 的导通持续时间可以使用计算

    IGATE (ON)= Ciss x dv/dt、

    其中、

    • DV= FET 栅源电压
    • dt = FET 的导通时间。  

    假设总 FET 为50nF Ciss、FET 栅极-源极上的 Vgs 为5V、

    = 50nF x 5V/32uA = 7.8毫秒

    在 FET 导通期间、体二极管将为正向电流(从 Vin 流向 Vout 的电流)导通。 从 Vout 到 Vin 不会有反向电流。

     可以使用相同的公式计算阻断反向电流的关断时间。

    IGATE (OFF)= Ciss x dv/dt

    ⇒  TOFF  = 50nF x 5V/2.8A =  89nsec

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    Pravene,

    非常感谢您的回复、很抱歉我很晚了回复。

    我把你的回复告诉了客户。 他们问我以下附加问题。  
    请你给我答复吗?

    问:由于我们 要缩短导通/关断时间、能否将 LM5050用作并联器件?
       换句话说、使用2组"LM5050+2件 ISC027N10NM6" 与并联连接是否没有问题?

    再次感谢大家、此致、
    和也。   

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    尊敬的 Kazuya:

    不建议并联使用2个 LM5050器件来加快 FET 的导通速度。

    您可以考虑使用其他理想二极管控制器、例如 LM74700-Q1、LM7480-Q1和 LM7472x-Q1、以加快栅极导通速度。