[参考译文] LM25149：为高端和低端应用使用相同的 MOSFET

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1252812/lm25149-using-same-mosfet-for-high-site-and-low-site

器件型号：LM25149
主题中讨论的其他器件： CSD18514Q5A、CSD18504Q5A 、 LM5148

我正在使用 LM25149进行设计、

设计规范：15V 至28V 输入和12V 输出、最大电流为7.5A

我使用 Webench 提供一条设计建议。
Webench 建议将 CSD18504Q5A 用于高端 FET、将 CSD18514Q5A 用于低端 FET
如果我尝试选择替代器件、我只能为低站点和高站点选择差分 FET´s
是否无法同时对两个 FET´s 使用 CSD18514Q5A？

提前感谢
/格尔

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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Gert,

目标开关频率是多少？

CSD18514Q5A 具有相对较高的 Qg、在5V Vgs 时约为16nC。

CSD18504Q5A 仅在5V Vgs 时为8nC。

不建议将 CSD18514Q5A 用于2.1MHz 等高开关频率。

那么在400kHz 时、可以将其用作高侧。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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您好、奥兰多！

开关频率为2MHz

我同意栅极电荷会造成损耗、但对于低端 FET、栅极电荷是不是同样的？
在我从 WEBENCH 获得的设计中、建议将 CSD18514Q5A 用作低侧 FET
为何不为两种 FET 使用 CSD18504Q5A

拼图我是,没有设计建议使用相同的 FET 为高和低站点

Br.
/格尔

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2378650 points

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嗨、Gert、

高侧 FET 上的较大栅极电荷会减慢开关节点上升时间和下降时间。

较慢的 SW 时间会增加开关转换损耗。

请尝试快速入门计算器、您可以在其中填写 MOSFET 规格并估算高侧和低侧 FET 的损耗。

https://www.ti.com/tool/LM5149-LM25149DESIGN-CALC

(BTW 在4.5V 时使用 QG、因为 LM5148为5V VCC)

WEBENCH 可能选择具有超低损耗(在计算中如此)的 FET、并选择最佳的高侧 FET (通常是较低的 QG)和最佳的低侧 FET (通常是较低的 RDSON)。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

0 admin 2 年多前

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您好、奥兰多！

仿真说明了这一点、谢谢

电源管理（参考译文帖）

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