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器件型号:BQ76952 大家好、
我的客户发现、一旦我们的电压达到6kV、我们的引脚就会损坏。
但当我搜索数据表时、我们芯片的 ESD 电平只有1kV。 因此、进行这样的高压 ESD 测试没有意义。 我对吗?
此外、如果客户希望提高 ESD 级别、您对设计有什么建议吗? 谢谢~
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大家好、
我的客户发现、一旦我们的电压达到6kV、我们的引脚就会损坏。
但当我搜索数据表时、我们芯片的 ESD 电平只有1kV。 因此、进行这样的高压 ESD 测试没有意义。 我对吗?
此外、如果客户希望提高 ESD 级别、您对设计有什么建议吗? 谢谢~
尊敬的 Zoey:
1kV 限值针对芯片级、因此每个引脚只能保证承受1kV ESD 尖峰。 但是、如果您指的是系统级 ESD 测试、则已验证该器件在采用正确的布局和额外的 ESD 保护实施时可承受高达25kV 的 ESD、如以下文档所示: BQ76942 IEC ESD 61000-4-2测试报告。 可以添加一些功能来提高 ESD 电阻、包括引脚、旁路电容器和火花隙上的 TVS 二极管。 在链接的文档中、这三个部分用于提高 ESD 电阻。
旁路电容器用于 BAT+和 PACK+之间、然后是 PACK+和 PACK-之间。 这样、任何浪涌都会绕过 FET 和其他敏感元件而不会损坏它们、并且只需从电池的正极端子回路到负极端子。 如果出现与电容器类似的高电压、火花隙和 TVS 二极管将允许缩短路径、并提供远离 AFE 的浪涌电流的替代路径。
此致!
A·内德尔费尔德