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[参考译文] TPS3760:我需要帮助设计一个电路、使其可以在输入电源高于电压阈值时打开子电路

Guru**** 1794070 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS37, TPS38, TPS3760
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1246857/tps3760-i-need-help-designing-a-circuit-that-can-turn-on-a-sub-circuit-when-the-input-supply-goes-above-voltage-threshold

器件型号:TPS3760
主题中讨论的其他器件:TPS37TPS38

大家好。

我们有一个继电器、我们需要在输入电压超过特定电压(可能为20V)时为其通电。  该设计的所有电路均需具有相同的输入电压。  在启动时输入电压会达到一些不同的电压、以便检测 PoE 负载、该电压始终低于18V。  电压检测依赖于在这些不同电压下测量电阻值。

继电器线圈或其他"下游"器件的任何阻抗都不得干扰该测量。  因此、我的想法是在输入低于20V 时让电压监控器将输出设置为低电平/高电平、然后当输入高于20V 达到最大值~50V 时、监控器会切换该信号。  我想驱动 FET 的栅极、想法是 FET 确保继电器线圈(以及潜在的其他负载)被阻断、当输入电压低于20V 时看起来具有非常高的阻抗。

我希望确保当电源电压和感应电压相同并随时间变化时、TPS3760 (或其他选择 TPS37或 TPS38)的运行发生了什么情况。   

这是否会按原样工作?或者我是否应该对感应线路输入进行一些操作?  

也许我使用一个具有 C4选项(或其他一些较低电压)的固定基准版本的芯片、并把我的7k 更改为分压器来预生一个可跟踪输入电压的较低电压?

您能否推荐具有适当电压基准的特定版本?

类似这样的情况、根据 TPSxx 的功能、可能不需要 R1。

谢谢!

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    我们很快就会回复。 谢谢你。

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    尊敬的 Jonathan:

    感谢您的提问。 对于 TPS3760、我们确实有可调节欠压有效低电平 TPS3760A012DYYR 和 可调节过压有效低电平 TPS3760E012DYYR。 对于可调型号、您需要使用分压器将20V 阈值降至800mV。 如果您打算坚持使用 DN1509 NMOS、则欠压 TPS3760A012DYYR 可以解决问题。 我可以提供一个包含适当值的示例原理图、我只想回答几个问题。

    • 电源轨是否会发出噪声? 您希望滤除的瞬态的脉冲持续时间是多少。
    • 系统需要复位延迟?

    杰西    

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    感谢您提供信息。
    我们根本没有结婚 DN1509,这只是我在网上找到的原理图。  我们可以在高侧使用 P 沟道、在低侧使用 N 沟道或任何其他组合。 我很高兴为您推荐您认为可以比我们开始使用的 TPS3760系列做得更好的任何其他器件、包括您可能知道的 FET 或高侧开关一体式芯片。

    我们的20V 分级电压是我们在初始上升/下降电压电平期间应该看到的最大值。
    我不确定其时序、因为它可以根据其他系统参数而变化、但在我们最坏的情况下、电压轨可能在20V 以上之前最大值为~750ms。

    顶部虚线是20V 最大电压电平。  该图是可能的电压输入电平的一个示例。 稍后、我们会开启"加电"并将电压升至~48V。   

    我确实在寻找类似这个过度简化的工程图的东西:

    我们有可进行上行和下行操作的 Vrail 以及对于任何低于21V 的 Vrail 具有大于2MOhm (无限低)阻抗的某些电路。
    然后,一旦我们通过了启动电压舞蹈和提高 Vrail 超过21V**我们的黑盒将通过 Vrail 到 Vo 以最小的损失。  
    **(或者我们可以使用分压器、齐纳二极管、上电复位、电源监控器等设置的其他电压)

    理想情况下应具有一些迟滞、确保 Vrail 上不会出现低于该20V 的任何种类的压降、且这将是短于1ms 的嘟嘟声。  也就是说、当 我们首次越过20V 线后、 即使电压下降到15V (或者我们可以设置的其他一些电压)、Vout 需要随时跟踪 Vrail。

    我希望这有助于更好地澄清我们的情况。

    如果您提供一个示例原理图、您就能够为我们可以针对复位延迟时间或简单的瞬态滤波等进行的任何简单调整提供指导。

    谢谢!

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    尊敬的 Jonathan:

    下面是一个示例原理图、旨在利用 TPS3760低电平有效满足您的用例以及器件的启动行为。  

    复位延时时间 tctr 由连接到 CTR 引脚的电容值控制、而连接到 CTS 的电容控制检测引脚的噪声滤波器 tctc、请参考数据表了解更多详细信息。

    如果您有其他问题、敬请告知。  

    杰西  

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    太好了、非常感谢!

    您的原理图中的 M1 FET 是否意味着 DN1509?  (我假设是、因为它是具有高侧开关功能的 N 沟 道耗尽模式)如果我要使用 P 沟道、我可以切换到 TPS37过压版本。  我认为使用它本质上会反转逻辑、对吧?

    我看到有一个适用于 TPS3760的评估板。   这是否允许我在进行 PCB 操作之前尝试不同的 R 和 C 值?
    是否有其他采用几种不同产品的评估板可以并排比较与此类似的几种不同芯片的功能? (我知道、这是一次长时间的尝试、但值得询问)

    谢谢。

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    尊敬的 Jonathan:

    是的、M1应表示 DN1509 FET。 如果您希望使用 P 沟道、可以使用 TPS3760E 过压监控、而不是 TPS3760A 欠压监控。 逻辑确实在翻转、但您需要注意置位电压和置位电压。 如果您希望使用 OV 低电平有效作为 UV 高电平有效、则复位会在 Vitp=Vit+Vhyst 生效、并在 Vitn=Vit 时失效。 Vit = Vthreshold。

    TPS3760允许您使用 TPS3760系列以外的其他无源组件、但不使用其他器件进行评估。  

    遗憾的是、我们没有用于并排评估多个器件的 EVM。

    杰西  

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    非常感谢!!