[参考译文] LM5149-Q1：能否与 GaN FET 配合使用？

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器件型号：LM5149-Q1
主题中讨论的其他器件： LM5149

您好、TI！

我计划将 LM5149-Q1用于48V 输入电压和12V 6A 输出直流/直流降压控制器。由于我的空间有限且传统 FET 的开关损耗高得多、因此我考虑将 GaN FET 至少用于上部 MOS FET、这会导致开关损耗高得多、但下部的开关损耗可能更好、因为没有反向恢复损耗。我看到栅极由仅5V 的 VCC 驱动、因此我具有6V Vgs 的 GaN FET 应该可以。有没有任何我认为迄今为止不可能在该控制器中使用 GaN FET 而不是硅 FET 的情况？

提前感谢

马塞尔

2 年多前

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Marcel：

您正在使用哪些 FET？

我已经使用 EPC FET 完成了一些评估、LM5149可以驱动这些 FET、并且转换器最初进行了良好的调节。

但是有一些不稳定性,我不明白,所以我不会推荐它。

此外、GaN 第三象限运行将导致 SW 节点变为极负值、甚至超过低侧 FET 体二极管。

这是 EPC 数据表中的 V_SD 源漏电压。

死区时间损耗将更大、因此即使 QRR 损耗降低、实际上也是相同的总损耗。

希望这对您有所帮助。

-奥兰多

0 admin 2 年多前

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尊敬的奥兰多：

感谢您的答复。我重点介绍 EPC FET 的说法不正确。听起来并不是很有前途。然后、我将尝试在投入更多时间投资于 GaN FET 之前找到尽可能好的 Si FET。由于我只需要6A、因此 Si FET 也应该可以使用。

马塞尔

0 admin 2 年多前

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尊敬的 Orlando：您是否也使用 GaN FET 仅测试了上部 MOSFET？这样开关节点不会变为负值、但开关损耗将低得多、因为上部 MOS FET 具有最高的开关损耗。将 Si FET 用于较低的 FET 时、QRR 损耗可以通过并联功率快照减小。也许这是最好的办法。

0 admin 2 年多前

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Marcel、

我还想过这种混合拓扑、不幸的是、我没有实现它。

听起来确实是一个很好的组合、仍然可以从 GaN 中受益。

-奥兰多

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