[参考译文] TPS66020：由 RCP 或 OVP 触发故障？

尊敬的 Fred：

我认为这不是 RCP、因为如果 PPHV 路径上发生 RCP 事件、/FLT 不会置位。

由于/FLT 被置位、可能会禁用 PPHV 的故障条件是过热或过压。 一旦故障条件被移除、/FLT 将取消置位。

观察示波器捕捉可以看到、在电压下降后、/FLT 线似乎仍然有效、所以我认为可能是过热事件。

此致

尊敬的 Tommy：

您能否确认我们的 TPS66020可以支持高达25V 的更高 OVP 阈值、对吧？

如果是、则表示 发生了过热事件。

BTW、

数据表中提到过热时 LDO 输出会下降、  

但我们没有看到这种情况发生,有什么问题吗?

它们处于紧急状态、我们需要找到触发故障的因素。

尊敬的 Fred：

TPS66021是与 PD 控制器搭配使用还是仅用作开关？

发生这种情况时、EN0和 EN1的设置是什么？

此致

与 PD 搭配使用、

EN1为高电平 EN0为低电平、这是受电状态。

客户没有要求调试，他们已经有了解决方案。

他们只是希望我们告诉他们、如何确保 OTP 触发故障、

请与内部 SE 同步、查看是否有快速的方法来确定故障原因

谢谢

尊敬的 Fred：

我将就这一查询与系统联系。

此致。

嗨、Tommy

感谢您了解情况，因为他们很紧迫

期待您的反馈

除了消除之外还有其他方法吗?

客户想知道为什么他们探测 LDO 但它没有下降、我们应该 在 OTP 故障期间捕捉下降、对吧？

2. IC 内部 OTP 的温度触发点是什么？   100°C 或125°C？

很抱歉、我必须继续跟进、因为他们真的处于紧急情况下。

谢谢

尊敬的 Fred：

是、如果这是应下降的 OTP VBUS LDO。

这是 OTP 阈值的表。 请注意、建议的工作结温为-10至125°C。

此致

尊敬的 Tommy：

现在很奇怪、  

客户现在将 OVP 引脚拉至接地、

 但是、就我所能看到的而言、LDO 看起来稳定、

它们不会将 LDO 连接到任何负载、  

您知道如果这不是 OVP、为什么会发生这种情况吗？

这是因为 OTP 反复保持开启和关闭、还是有任何其他原因？

此致、

弗雷德

尊敬的 Fred：

我看到当 SINK_EN 为高电平时 PPHV 出现 VBUS 压降尖峰。 我假设此时故障引脚也被置为有效。  

您能否放大出现尖峰的零件、并获得 PPHV 尖峰和 VBUS 骤降的实际测量值？

此致  

尊敬的 Tommy：

您所问的图片已经在该论坛的最上方、

我不确定你在这里意味着什么、

但我们可以返回到 LDO 输出吗？ 它们如何不能捕捉到 LDO 输出的下降,

这是因为 LDO 上没有负载、因此电压下降并不明显吗？

请咨询内部 SE、 他们真的想知道这个答案。

尊敬的 Fred：

为了澄清过热保护、器件中使用了多个温度传感器。 如果电源路径上发生过热事件、本地 PPHV、PP5V 温度传感器将仅禁用电源路径并将 FAULT 引脚置位。 如果主 温度传感器检测到过热事件、则主 TSD 会禁用所有电源和 VBUS LDO。

另请注意、PPHV 软启动可能会导致 PPHV 过热保护事件。

此致

那么、我们为什么无法在故障期间捕捉 LDO 压降？

尊敬的 Fred：

  如果电源路径上发生过热事件、本地 PPHV、PP5V 温度传感器将仅禁用电源路径并将 FAULT 引脚置位。 这不会禁用 LDO、因此在电源路径过热事件期间您不会看到 LDO 出现下降。

此致

尊敬的 Tommy：  

我明白了、所以关键点是这里没有触发"主要"热传感器。

主函数和局部函数之间有何区别？ 主传感器在哪里或感应到哪个点？

尊敬的 Tommy：

客户在 PPHV 软启动期间灌入了重负载、

但他们不敢相信本地传感器会在3~5 μ s 内被触发、因为无法检查本地传感器的状态。

您是否会向他们解释、浪涌电流实际上如何在3ms 内产生热量？

尊敬的 Fred：

如数据表中所述、应在软启动期间尽量减少直流负载、否则无法以足够快的速度耗散高功率产生的热量。

在软启动期间、它们加载了多大的电流？

此致

尊敬的 Tommy：

有一个问题、

如果我们具有 PPHV 软启动功能、这意味着它在上电期间控制电流、

但是、如果我们控制上升电流、OTP 为什么仍然会发生？

尊敬的 Tommy：

如您所见、"当 VBUS 已经是20V 时"、

 流经 PPHV 的电流(绿色电流)最多约为4.2A、

但 PPHV 仍会触发故障(过热？)、而 P2P 竞争对手可以顺利通过该故障。

您知道为什么会发生这种情况,是4.2A 太高或我们有不良的热布局?

如何解决这个问题呢？  

此致、

弗雷德

尊敬的 Fred：

是的、布局可能会影响这一点。 4.2A 应该没有问题。

此致

尊敬的 Tommy：

由于这是客户上次构建、我们如何在不更改布局的情况下对其进行改进、

当 VBUS 为5V 时、我们如何立即启用它、

电压差现在比现在小？

尊敬的 Fred：

这可能会有所帮助、但如果在升高电压的同时有直流负载、仍然可能会触发过热。

可能有效的另一种方法是将电压斜坡期间的电流消耗限制为0。 我无法从示波器屏幕截图中分辨电压值是多少、以及在 PDO 合约协商期间的哪个阶段。  

您还可以先在 EVM 上测试此问题、如果此问题不在 EVM 上发生。

此致

尊敬的 Tommy：

我感到困惑

在电压斜坡期间始终会存在电流消耗、因为我们需要在 PPHV 处为电容器充电

尊敬的 Fred：

可能0电流消耗不是正确的术语、我的意思是限制电压斜坡期间的电流消耗。 系统不应有其他消耗如此大电流的有源组件。

电压从什么斜升？ 这是否在 PDO 变化期间？ 例如5V PDO 至20V PDO？

此致

你好、 Tommy。

是的、Vbus 已经更改为20V Vbus PDO、

但是、启用拉高 PPHV 后、无法成功上升、如上面的波形所示、

由于 PPHV 电压低于电池电压、因此系统电压仍由较高的电池电压控制。

那么、在这里我们可以总结出、在初始充电期间触发 OTP 的纯浪涌电流

我们能否移除 PPHV 或充电器上的一些电容器以降低浪涌电流？

尊敬的 Fred：

是的、您可以尝试移除一些电容器来限制浪涌电流、但这需要在瞬态期间牺牲电压轨稳定性。

以下文档提供了有关管理浪涌电流的一些见解(https://www.ti.com/lit/an/slva670a/slva670a.pdf?ts = 1688996047842和 ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F)

此致

尊敬的 Tommy：

1.他们没有看到任何明显的峰值电流，这是不是浪涌电流，还是因为我们的软启动？

2.他们还在质疑为什么在 PPHV 上4.2A 的输出电流会导致 OTP ,这甚至不能达到接近 C 型限制"5A"的程度,你有什么想法吗?

尊敬的 Fred：

如果存在明显的峰值电流、则它很可能与浪涌电流无关。

Unknown 说：

2. 他们还在质疑为什么 PPHV 上的4.2A 输出电流会导致 OTP ,这甚至不会达到接近 C 型限制"5A",你有什么想法吗?[/报价]

我没有看到布局、但我认为这很可能是布局造成的。

此致

尊敬的 Tommy：

他们询问、为什么在故障置位时他们无法看到 PPHV (黄色)关闭(下降到0V)、

因为即使触发本地温度传感器也应禁用 PPHV 路径。

您会帮助回答客户有关此案例波形的问题吗？

BTW、在此处更新布局  

请给出一些建议

 e2e.ti.com/.../tuffy.7z

您可以在电路板最右侧搜索 U7202和 U7205

尊敬的 Fred：

您能否提供示波器捕获的测试参数/条件？

在布局方面、PPHV 平面缺少过孔来向另一侧散热。

我对于 VBUS 迹线的问题是、只有一侧具有足够大的平面来散热、但由于采用单一过孔、另一侧的散热速度可能不够快。

此致  

尊敬的 Tommy：

 该条件与先前所有的波形相同、

纯粹的问题是、为什么我们看到 C 型电流开关、这是我们知道的 OTP、但为什么 PPHV 没有下降到0V、它会由于 OTP 而关闭 PPHV？ 相反、它只保持在大约7~8V、但最终无法成功上升。

BTW、我同意 VBUS 布线的另一侧缺少过孔和平面、

如果他们愿意、我会要求他们改变。

尊敬的 Fred：

PPHV 电源路径将关闭、但如果 PPHV 侧有大电容、则电压可能无法完全放电。

此致

尊敬的 Tommy：

我想到的是一个解决方案、

我们能否在 PPHV 的输出端增加5欧姆电阻来降低浪涌电流？

由于 I=CDV/dt、如果我们添加该 R、充电电流斜率会降低、可能有助于防止 OTP？

尊敬的 Fred：

我认为这没什么帮助、但您可以运行仿真、看看添加5欧姆电阻后负载电压系统侧是否能保持良好的电压水平。

此致

嗨、Tommy  

我想知道您为什么不这么认为是个好主意吗？

增加5欧姆电阻还意味着我们降低系统负载电流、无论它吸收多少电流、

如果我们可以从系统中减少它、那么我认为添加此电阻器会有所帮助、

它可以减慢浪涌电流斜率、

尊敬的 Fred：

您需要考虑电阻器引起的 IR 压降。 如果压降过大、可能会使系统侧欠压。

此致

尊敬的 Tommy：  

你是对的、  

这些器件去除33uF 的 Cout、并将电阻增加到20m Ω 、但仍然失效、  

浪涌看起来不是根本原因、

您是否认为布局和热阻是我们能想到的最终改进？

一旦我们在重新布局之后又失败了、我们将永远进行设计、

请与系统工程师核实这个问题,因为这个主题已经走了这么长的时间,我们需要融合这个问题.

尊敬的 Fred：

该器件本质上是一个电源开关、布局对于电源开关的性能非常重要。

我将与系统团队核实其他可能的改进。 我认为、首先使用两个 EVM 来测试设置也是一个好的做法。

我可以知道谁是客户吗？

地区

Tommy、

HP 是客户。

如果您碰巧在您身边、而我没有、您会帮助我们尝试使用我们的 EVM 吗？

我想知道在 EVM 上电时、负载会导致 OTP 发生什么。  

尊敬的 Fred：

我还会让 Deepak 了解这一点、因为他是 HP 的主要联系人。

此致