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[参考译文] CSD17577Q5A：MOS 散热问题

admin
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Other Parts Discussed in Thread: CSD17577Q5A, CSD17579Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1246658/csd17577q5a-mos-heat-dissipation-problem

器件型号：CSD17577Q5A
主题中讨论的其他器件： CSD17579Q5A

团队成员

我有一位客户想使用我们的 MOS、而且目前想要使用 CSD17577Q5A 或 CSD17579Q5A、我想问他们是否有散热考虑、您可以向他们推荐哪个 MOS 具有更好的散热。

谢谢。

博彦

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    尊敬的 Boyan：

    感谢您向客户推广 TI FET。 这两个 FET 采用相同的封装、具有大致相同的功率耗散能力。 主要差异在于 CSD17577Q5A 的导通电阻比 CSD17579Q5A 低约50%、在相同的漏极电流下、其功率损耗将更低。 CSD17577Q5A 的成本也更高、因为芯片尺寸更大且电阻更低。 使用哪种器件取决于应用要求。 您能否分享有关申请和要求的详细信息？ 我们在以下链接的应用手册的"工具"部分提供了许多 FET 选择工具。

    https://www.ti.com/lit/an/slvafg3b/slvafg3b.pdf

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    你好， 约翰·华莱士

    好！

    谢谢。

    博彦

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    尊敬的 Boyan：

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢。

    约翰

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    尊敬的 Boyan：

    由于我没有收到您的回复、因此我假设您的问题已得到解决、将关闭该主题。

    谢谢。

    约翰

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    您好、John

    此问题已解决，谢谢。

    博彦

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    请单击"已解决"。