您好、E2E 专家、
我们正在致力于使用低侧栅极驱动器来驱动背对背连接的低侧 MOSFET 的 BMS 应用。
由于这是电池供电型器件、因此栅极驱动器工作电流必须非常低。
在此应用中,栅极驱动器输出将保持在静态阶段(无开关,打开或关闭)
我使用多个栅极驱动器(UCC27524、UCC27614等)进行了检查、但都具有0.4mA 至1mA 范围内的电源电流。
您能建议具有极低电源电流 VDD 的栅极驱动器吗?
谢谢
此致
瓦苏
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您好、E2E 专家、
我们正在致力于使用低侧栅极驱动器来驱动背对背连接的低侧 MOSFET 的 BMS 应用。
由于这是电池供电型器件、因此栅极驱动器工作电流必须非常低。
在此应用中,栅极驱动器输出将保持在静态阶段(无开关,打开或关闭)
我使用多个栅极驱动器(UCC27524、UCC27614等)进行了检查、但都具有0.4mA 至1mA 范围内的电源电流。
您能建议具有极低电源电流 VDD 的栅极驱动器吗?
谢谢
此致
瓦苏
尊敬的 VASI:
感谢您提出这个问题。
达到低 VDD 电源静态电流的非传统方法是使用半桥驱动器 UCC27282 (10引脚 DRC 或 DPR 封装)。 通过将 VDD 短接至 HB 并将 HS 连接到 GND、半桥驱动器可以转换为双通道低侧。

这有几个缺点、但当 EN 保持低电平时、VDD 电源静态电流 为7uA。

另一种降低 VDD 电源静态电流的方法是在驱动器未使用时直接断开 VDD。 这可能会导致消耗比节省更多的功率、具体取决于电路设计、因此值得首先在样片上测试这种方法。
如果这样不起作用、您能否详细介绍一下您需要的工作电流范围、电源电流范围和驱动强度?
如果您想进一步讨论此离线讨论事项以讨论私人事务、如应用的具体细节、器件数量和计划、请与我好友合作、以便我可以向您发送电子邮件并将其发送给其他人。
此致、
卡森·甘布尔