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器件型号：LMG3422R030 主题中讨论的其他器件： LMG3522R030
我需要一个更高电流的 LMG3422R030替代器件、因为该器件具有集成栅极驱动器、不知道如何并联这些栅极驱动器。
谢谢。
Nidhi Haryani 博士
研发人员
Delta Electronics (美洲)
我需要一个更高电流的 LMG3422R030替代器件、因为该器件具有集成栅极驱动器、不知道如何并联这些栅极驱动器。
谢谢。
Nidhi Haryani 博士
研发人员
Delta Electronics (美洲)
您好、Nidhi：
我们的 LMG3422R030和 LMG3522R030器件都具有相同的电流能力。 当使用集成栅极驱动器并联 FET 时、必须考虑驱动器打开传播延迟、尤其是在并联的驱动器之间看到的延迟不匹配。 假设两个驱动器之间的不匹配为非零、一个驱动器将在另一个驱动器并联之前稍微导通。 对于 高侧器件、必须为并联的每个 FET 使用单独的数字隔离器。 除了用于高侧 FET 的单独隔离器外、还需要一个去耦电感器。 此电感器将放置在每个半桥开关节点和 中央开关节点之间(如下图所示)。 这样做的目的是控制在只有第一个器件导通时首次导通的器件的电流上升。 我已经通过电子邮件联系了我、提供了有关 计算该去耦电感器尺寸的更多信息。
此致！
K·沃尔夫
