This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25898:关于快速充电开始时的过冲电流

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25898
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1247249/bq25898-about-the-overshoot-current-at-the-start-of-fast-charging

器件型号:BQ25898

大家好。

让我们讨论一下快速充电开始时的过冲。
我从一个客户那里得到了一个测试波形。
您可以通过私人消息发送吗?
我有两个与波形相关的问题。

1.
当电流值上升到快速充电电流的设定值时、会发生过冲。
充电电流过冲一次后、它会稳定在设定值附近。
此时、REG0B 的 VSYS_STAT 从"0 (未处于 VSYSMIN 调节模式)"更改为"1 (处于 VSYSMIN 调节模式)"。
您能告诉我导致该过冲的原因是什么吗?

2.
假定此充电电流过冲处于充电电流设置容差(约±7%)之内是否正确?


寄存器设置如下所示。

REG06 0x48BATLOWV 2.8V
REG05 0x20IPRECHG 192mA
REG04 0x11ICHG 1088mA


此致、
祐介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yusuke、  

    我们之前收到过有关不同 E2E 主题的私人消息。 请通过同一私人消息线程发送测试波形。  

    如果波形无法提供该信息、请在快速充电开始时也帮助分享 VBUS 和 VBAT 值。  

    此致、

    加勒特   

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Garrett:

    感谢您的答复。
    我向您发送了一条私人消息和客户波形。
    我们恳请您确认。

    此致、
    祐介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yusuke、  

    我已收到客户波形、请查看下面的评论。   

    客户测试中的 SysMin 设置是什么?  

    对于2)客户观察到的峰值电流是多少?  

    此致、

    加勒特

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Garrett:

    感谢您的答复。

    >客户测试中的 SysMin 设置是什么?  
    SysMin 为3V。

    >2)客户观察到的峰值电流是多少?
    我将发送从客户处获得的其他波形。
    该波形中添加了 VBUS 电压。

    您能否根据这些信息提供您的意见?

    此致、
    祐介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yusuke、  

    感谢您提供所需的信息。 现在我相信我理解客户所观察到的情况。  

    BQ25898具有 NVDC 架构、包括将 BAT 和 SYS 分开的 Q4 BATFET。 由于这种架构、充电电流的调节方式会有所不同、具体取决于 VBAT 是否大于或小于 SYSMIN 阈值。 当 VBAT < SYSMIN 时、BATFET 在 LDO 模式下运行以调节充电电流。 因此、当 VBAT 高于和低于 SysMin 阈值时、ICHG 调节精度不会完全相同。  

    客户最初看到您在充电电流中所谓的"过冲"是因为 VBAT < VSYSMIN。 如提供的波形所示、VBAT 上升至 SYSMIN 阈值以上后、充电电流会有所降低。  

    观察到的行为是预期行为、观察到的最大充电电流不在设置容差范围之外。  

    此致、

    加勒特  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Garrett:

    感谢您的建议。
    我已经回应了客户您的建议。

    客户希望确认最后一件事。
    "假设该充电电流过冲处于充电电流设置容差(±7%)范围内是否正确?"

    即使在 LDO 模式下、BQ25898也能保持±7%的充电电流精度。
    这种理解是否正确?

    此致、
    祐介

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Yusuke、  

    是的、无论 BATFET 在 LDO 模式或全开启模式下运行、BQ25898都会保持充电电流精度的设置容差。   

    此致、

    加勒特