大家好。
让我们讨论一下快速充电开始时的过冲。
我从一个客户那里得到了一个测试波形。
您可以通过私人消息发送吗?
我有两个与波形相关的问题。
1.
当电流值上升到快速充电电流的设定值时、会发生过冲。
充电电流过冲一次后、它会稳定在设定值附近。
此时、REG0B 的 VSYS_STAT 从"0 (未处于 VSYSMIN 调节模式)"更改为"1 (处于 VSYSMIN 调节模式)"。
您能告诉我导致该过冲的原因是什么吗?
2.
假定此充电电流过冲处于充电电流设置容差(约±7%)之内是否正确?
寄存器设置如下所示。
・REG06 0x48:BATLOWV 2.8V
・REG05 0x20:IPRECHG 192mA
・REG04 0x11:ICHG 1088mA
此致、
祐介