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器件型号：UCC5390SCDEVM-010 
根据 TI 数据表中的建议，对于分离输出栅极驱动器 IC (UCC5390S)，VEE 应接地。
在我们用于驱动 SiC MOSFET 的应用中、我们使用负电源电压来关断 FET。
在 Vee 而不是接地施加-ve 电压是否是好主意？
请提供一些相关建议。
根据 TI 数据表中的建议，对于分离输出栅极驱动器 IC (UCC5390S)，VEE 应接地。
在我们用于驱动 SiC MOSFET 的应用中、我们使用负电源电压来关断 FET。
在 Vee 而不是接地施加-ve 电压是否是好主意？
请提供一些相关建议。
您好、Vivek、
即使采用双路分离输出版本的栅极驱动器、客户仍可以使用负偏置来驱动 MOSFET。 客户需要将负偏置电源连接到 VEE2、而 MOSFET 的源极仅连接到偏置电源的 GND 连接、从而生成正负电源轨。 通过我们仅有一个输出的双通道之一实现与下图类似的功能。 唯一的区别是 UCC5390S 将具有双路输出。
此致、
安迪·罗布勒斯
