[参考译文] UCC27282-Q1：关于 VDD = 0V 状态下静态电流的问题

如果 VDD 完全关闭，并且 HB 上没有外部电压，则理论上的静态电流将为0。 由于您将其用作高侧开关、使用背对背 FET、我假设您希望驱动器 HO 输出能够在直流状态下导通。[/引述]

我不确定这里是否正确理解了"直流状态"、但我想您的意思是我不会将 PWM 信号施加到高电平输入。 正确。 负载只需要在短时间内(最长10-30秒)处于活动状态、因此在这段时间内、静态电流没有问题、我们将为 VDD 供电。 对于未使用负载的长时间周期、最好通过关闭 VDD 来消除静态电流。

为 VDD 供电是否可以解决您提到的 HB-HS 偏置问题？

您能 为工作推荐一个更好的部分吗？ 我只需要一个负载开关功能、但它必须能够处理15A 连续电流和40A 突发电流(在电机启动期间)、并且至少达到32V 的额定电压。 由于高电流要求以及反向电流保护要求、我使用外部双 NMOS 配置。 我需要包含电荷泵的器件来驱动 NMOS 栅极。 我也仅限于汽车级组件、因此很难找到合适的器件(尤其是我们发现存在这些短缺情况)。

好的、我之前不理解的以及我认为现在正确理解的是、自举二极管只有在 HI 输入上有 PWM 的情况下才能正常工作。 除非 HI 上具有足够数量的脉冲、否则 HB-HS 偏置将不会充电。 这就是该器件不会在高电平直流输入下运行的原因、因为从低电平到高电平的单次切换不会有效地利用自举功能。

我阅读了您链接的应用报告(感谢大家分享)。 使用 LO 输出来驱动外部自举二极管的方法是将栅极驱动器转换为负载开关的绝佳方法。 我真的很喜欢这个想法。 我认为我不得不改用 UCC27212、因为它不具有互锁保护特性。 或者、您建议的变压器驱动器方法也是一个好主意。

在应用报告中、您添加了传播延迟测量值、并展示了它们是如何突破行业标准1us 截止延迟的。 对于实际检测故障和切断 FET、您有什么应用报告或建议吗？ 我想使用 TLV1805之类的比较器来实现高侧反向电流保护、但对于短路保护、我没有任何想法、除了可能有第二个比较器、例如在高侧 FET 上带有分流/检测电阻器的 TLV1805。

谢谢！