您好！
我目前正在研发一个直流电源转换器、使用 LM7480-Q1作为低压(12V 输出级)上的理想二极管驱动、以用作电池反向保护电路并提供输出开关。
问题：我们在 FET 上游有一个 EMI 滤波器、并且我们正在切换电感负载。 我们基于 PSPICE SIM 计算了所需的保护、但每次尝试在负载下断开连接时、仍会损坏这些芯片。
原理图如下所示。 我们可以假设通过电感器的电流约为150安(左侧电感器是内部 EMI 滤波器,右侧电感器代表预期的电感负载)。 PMOS 添加了二极管、这些二极管表示实际使用的器件的体二极管。
我们实施了：
-双向 TVS 跨内部电感,最大击穿电压为12V(3 kW SMC 封装)
-单向 TVS 从电感输出到接地,31V 击穿。 (3kW SMC 封装)
-限流电阻器(1k)和齐纳钳位(31V 击穿)在 VS 芯片上。 (325mW SOT23封装)
-背对背 TVS 在输出:( 66V 击穿正极,31V 负极) ( 3kW SMC 封装)
尽管如此、我们仍无法在不损坏驱动器的情况下关闭负载下的器件。 所有保护电路均未损坏。
我们还注意到、在我们的布局中、RTN 焊盘无意中连接到了接地平面。
由于我们拥有数量非常少且非常昂贵的原型并且这些 WSON 封装难以返工、因此在我们继续之前、我希望咨询/帮助：
-在 LM 驱动程序的实施中,我遗漏了什么问题? 是否有任何我们漏掉的"明白"？
-反馈的水平的保护? Sims 和过去的经验告诉我们,这应该足够了,但我们显然缺少一些东西。
-反馈 RTN 焊盘接地:我知道数据表表明反向保护在这种情况下不会起作用,但我试图理解实际含义,这是否与我们的器件故障有关。
提前感谢您的帮助！ 我真的很感激!
