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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1247935/bq25892-emc-design-improvements
TI 对 P/N BQ25892缓冲器设计有什么建议？ 此外、除了数据表中的布局指南之外、该器件还有哪些其他 EMI 降低技术？
您好、James：
感谢您通过 E2E 联系我们。 请参阅我的以下评论、了解有关 BQ25892的 EMI 抑制技术。
1)在 PMID、SYS、VBUS (可选)和 BAT (可选)上添加一个1nF 电容器。 目的是添加该在100MHz 到200MHz 范围内工作的高频电容器、将高频噪声返回到 GND。
2)在 SW 引脚和 GND 之间添加缓冲器电路(电阻器和电容器)。 使用 R = 1 Ω 和 C = 15nF 作为基准、但 TI 建议尝试几种不同的组合、以便使用您的定制 PCB 设计获得最佳效果。
3)在 BTST 引脚和 SW 引脚之间添加与 BTST 电容器串联的电阻器(范围为0 Ω 至10 Ω)。 目的是降低开关压摆率。 我们不建议使用大于10欧姆的电阻器值、因为这会开始对转换器效率产生不利影响。
此致、
加勒特
