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[参考译文] TPSF12C3：仿真模型/验证

admin
Guru**** 2502485 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSF12C3, TPSF12C3-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1240381/tpsf12c3-simulation-models-verification

器件型号：TPSF12C3

您好 TI

我已经开始研究使用 TPSF12C3"有源 EMI 滤波器"、看看我们是否可以从它中受益。

首先尝试在电子表格"TPSF12Cx 快速启动计算器修订版 A1.xlsm"中复制仿真。 如果我根据电子表格中的数据制作一个仿真模型、我将不会获得相同的结果。 甚至没有接近。

在产品主页上、可下载仿真模型(PSpice)、但遗憾的是、模型和电子表格之间的一致性很低。

您是否有更好的信息可以分享？

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    大家好、Thomas、请向您发送仿真和快速启动文件以供审核。 检查 CM 扼流圈在两种情况下是否具有相同的阻抗。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    您好，Tim

    附件中的 Excel 电子表格已从您的网站下载、并且我仅禁用了 LISN 筛选器。 然后得出以下插入损耗

    e2e.ti.com/.../TPSF12Cx-quickstart-calculator-Rev-A1.xlsm

    我还从网站下载了 PSpice 仿真文件"TPSF12C3-Q1_3Wire_Transrs"。 我可以看到、可下载的 PSpice 文件现在已更改为4线版本、但我下载的那个版本是3线版本。

    我根据电子表格中的详细信息修改了原理图、并将其更改为交流扫描。 然后、我仿真了以下插入损耗：

    很抱歉无法读取的图形,但 Y 轴从-120到-20dB,这是远离结果在散页。

    e2e.ti.com/.../TPSF12C3_2D00_Q1_5F00_3wire_5F00_TRANS.zip

    向托马斯致以最诚挚的问候

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    大家好、Thomas、PSPICE 中有3线和4线测试台、可单独下载)： https://www.ti.com/product/TPSF12C3-Q1#design-tools-simulation。IC 模型在两种情况下是相同的(3线电路将 IC 的 SENSE4引脚接地)。

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    快速启动文件看起来不错。 我看到您为 CM 扼流圈使用了默认阻抗-您是否能够在 PSPICE 中复制此阻抗曲线？

    另外、请注意快速启动文件中的插入损耗定义是从噪声电压源到有效 LISN 电阻(对于三相3线制情况、该值为50Ω/3)。 您提供的图似乎是一个衰减结果。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    我可以看到 PSpice 中的 CM 扼流圈均使用梯形网络建模、因此我假设它与电子表格中使用的模型相同。  

    在电子表格中禁用 LISN 网络不会移除50R 检测电阻-这是有道理的、但对我来说不清楚。 此外、L_grid 参数似乎不会产生任何影响？？

    插入损耗和衰减图应该保持一致、但具有不同的值。

    如果 PSpice 模型能够重现与电子表格相同的情况、则可能会很好。 它使解释容易得多。

    我已经问了我当地的 AFE 是否有可能得到更多的见解,我可以看到你已经回答了他。

    此致 Thomas

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    尊敬的 Thomas：

    是的、它是一个阶梯网络、用于对纳米晶 CM 扼流圈的阻抗行为进行建模。 使用简单的并联 LCR 等效电路对具有更线性特性的铁氧体扼流圈进行建模。 Excel 工具可以接受这些 LCR 参数、也可以接受测量的阻抗幅度和相位与频率数据。

    Lgrid 值不会产生太大的影响、因为它实际上与 Lcm1串联 (高得多)。

    此致、

    时间

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    您好，Tim

    您必须拥有我当时拥有的电子表格的另一个版本。 我输入为 Lgrid 的值。 插入损耗保持不变。

    电子表格中的原理图与您的解释不符。 Lgrid 与交流电源串联、由于 Lgrid 上没有寄生电容、阻尼/插入损耗将在较高频率下保持抖动。

    T·布尔

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    TI__Guru**** 2502485 points
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    尊敬的 Thomas：

    很抱歉我漏掉了您的回复。 这里是快速入门的更新版本、我在其中为纳米晶扼流圈添加了参数条目。

    e2e.ti.com/.../2047.TPSF12Cx-quickstart-calculator-Rev-A4.xlsm

    Lgrid 不应该产生太大的影响、因为它通常小于10uH。 LISN 未显示在原理图中(我打算添加它)。

    此致、

    时间