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[参考译文] UCC21222:长时间死区的实际限制?

Guru**** 1457880 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21530, UCC21551, UCC21222, SN6501
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1243937/ucc21222-practical-limit-for-a-long-deadtime

器件型号:UCC21222
主题中讨论的其他器件:UCC21551、UCC21530、 SN6501

您好、UCC21222D 的数据表未提及死区时间电阻器的建议范围。

假设一个电容(2.2nF)根据 TI 建议来旁路施加的死区时间电阻器、那么长死区时间的实际限制电阻器是多少?

例如、 能否使用1M 电阻器设置10us 死区时间? 或者它是否会对噪声太敏感? 是否可以通过增加旁路电容来降低灵敏度,例如10nF?

问题只是关于这个芯片的使用、而不是从 MOSFET 闸极驱动器的角度来看。

提前感谢

弗拉德

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    尊敬的 Vlad:

    即使对于100ns 死区时间设置、该引脚也对噪声敏感。 但是、我们正在发布此器件的更新;该更新的第一个版本是 UCC21551、现已提供样片、但今年晚些时候将发布不同的版本。 它大大改进了 DT 引脚的内部滤波、并允许您将死区时间更准确地设置为更长的间隔。

    使用100nF 外部电容器时、最高额定设置为500ns、但是我看到它用了高达2us。 当它变为有效开路以及输入确定重叠时、我未进行测量。 我可以尝试测试它、然后回复给您。

    由于具有长期可靠性、汽车客户通常对电阻超过200k 的电阻有内部规则。

    此致、

    肖恩

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    谢谢 Sean 的回复。

    如果您能通过测试确认、我们能够可靠地制造至少2us DT (或更多 DT)、假设实施干净、连接 DT 电阻器的旁路电容器以及芯片的 VCCI 和靠近芯片引脚的组件...

    否则我现在就好像遇到了麻烦。 我需要说明高侧 MOSFET 栅极电容放电的长延迟、 关闭时、  与低侧快速开启重叠... 因此 DT 太短不会阻止可能的击穿...如果 DT 时间不够、我们需要更改半桥的设计。

    请告诉我。

    法拉德

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    我刚找到 TI 的另一款类似产品:  UCC21320Q

    它与 UCC21222类似、但具有更高的隔离栅。 与 UCC21222不同、UCC21320数据表明确指出最大 RDT = 500KOhm、即最大5uS 死区时间。 但规格表仅对20k Ω 电阻器得出的 DT 进行评级。 然后、第8.4.2章中的 DT 引脚说明告诉
    当 100kΩ 时、DT 引脚电流将小于10uA。
    如果是这样、那么使用 DT 电阻器500KOhm 时、电流将为2uA!    它像是浮动吗? 此最大 DT 电阻值非常可疑。
    TI 甚至没有在 UCC21222数据表中提及 DT 电阻器的范围也不好。
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    尊敬的 Vlad:  

    Sean 目前是 OOO 的假期,他会回来与你. 与此同时、我有一个关于高放电的问题 -  

    我需要考虑在 关闭时高侧 MOSFET 栅极电容放电的长时间延迟

    HS FET 的栅极电容、HS FET 的外部栅极电阻以及您看到的关断时间是多少? 通过 UCC21222或 UCC21320的6A 峰值灌电流、我们通常会看到 FET 的下降时间非常快。

    谢谢!  

    此致!  

    薇薇安

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    您好、Vivian、我们 H 桥中的高侧 P-mos 不是直接由驱动器输出驱动、而是在 N-mos 逆变器之后、而是由驱动器驱动。 这种反相 N-mos 工作得很快,没有引入延迟,但 P-mos 的充电和放电取决于主要总线电压分压器的电流,这是相当限制(分压器的功率耗散), 我无法将 P-MOS 栅极的电流增加到一定程度以将放电时间限制在3us 以下。

    但这是不同的主题。 这里的主题是如何得到一个死区时间设置至少3uS ? 同样、UCC21320Q 的 TI 数据表详细说明了最大 DT 电阻器500KOhm -这会生成5uS DT。 TI 是如何得到这一价值的? 是否进行了测试? 同样、UCC21222具有相同的 DT 范围? 数据表甚至没有提到 DT 电阻器允许的范围。

    我认为,栅极驱动器的所有数据表,如果他们有 DT 功能,必须阐明所产生的 DT 的实际限制。 目前、所有开发人员都要自己进行研究、以便在数据表中找出这个缺失的参数。 (公平地说、这适用于许多栅极驱动器制造商)。

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    尊敬的 Vlad:  

    感谢您的信息。 假期结束后、请 Sean 对 DT 范围做出评论。  
    此致!  

    薇薇安

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    尊敬的 Vlad:

    我只能获得大约1.6us 的死区时间、即使 EVM 上有82nF 的本地去耦也会产生很大的噪声。 但是、如果两个输入在一段时间内重叠、则"死区时间"可能会无限期延长。 也就是说、如果两个输入保持高电平达10us、然后其中一个输入关闭、驱动器将有效地输出10us 死区时间。

    Vivan 确认100k 是 UCC21551产品说明书最大死区时间设置电阻器、建议您使用该电阻器而不是 UCC21530。 希望您可以玩一些具有输入信号的游戏、以使死区时间达到您搜索的10us。

    我想重新推高侧 PMOS 设计选择。 您是否对使用高侧 NMOS 和另一个隔离式栅极驱动器有任何兴趣? 这通常可在半桥设计中提供最佳的整体效率。

    此致、

    肖恩

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    谢谢 Sean、您的测试对我来说非常重要、可用于做出最终决定。 我可以尝试为1us DT 进行全新设置。  但是、您推荐的其他 TI 驱动器令人困惑。

    • 我查看了新的 UCC2451芯片数据表-仅允许高达100K DT 电阻器、可转换为仅873nS 最大值、并比使用此电阻器(1us)的 UCC21222更短 DT。 (甚至不提供此芯片)
    • 前面讨论的 UCC21320QD 芯片允许高达500K 的电流、根据数据表、该电流会转换为5uS。 问题仍然存在:这种信息可以被信任吗? (我们可以获得此芯片)
    • 您提到的 UCC21530与 UCC21222

    我无法处理输入信号、因为它们是 MCU 的嵌入式计时器自动产生的、作为对传感器输入的响应。 如果传感器混乱、H 桥产生的控件可能混乱。

    对于 H 桥设计,我从一个"经典"的设计开始,使用 N-mos 高侧和自举电容,这是一个错误,因为我们不使用 PWM 进行 H 桥控制。 复位后不会切换到使自举电容器升压、但 H 桥的状态必须针对请求的输入开启。

    我仍然希望从您那里获得更多有关 UCC21320QD 的信息。 即使从其电子表格中得出的5uS 要求太多、但它仍然可以提供比以上所有选项都更可靠的 DT。

    再次感谢、

    弗拉德·布兰希

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    尊敬的 Vlad:

     UCC21551在本周是全新推出、并且已快速取出所有第一批产品进行样片采集。 它是在我们新晶圆厂的300毫米晶圆上制造的、因此在不久的将来、它的可用性和成本将比 UCC21530高得多。 我想强调的是、这也是基于 UCC21530客户反馈的改进型设计。  

    不容易操作信号源很有道理。 从我的测试中观察到的情况。 是否能够在您的软件中添加死区时间? 如果要制作电机控制器、InstaSpin 示例代码中提供了死区时间设置。 我记得我能够设置2us,我不认为有一个上限。

    自举电路是为高侧驱动器供电的最简单、最便宜的方案。 最好的方法是使用"隔离式偏置电源"或隔离式直流/直流转换器。 它本质上是一个小型反激式转换器、也可以是推挽式、可能外加一个以开关节点为基准的次级 LDO。 它浮动在开关节点顶部、并为高侧隔离驱动器供电、而不考虑 PWM。 这也提供了电隔离。 大多数人使用 SN6501和 LDO 之类的分立式解决方案、但 TI 有一整条专门用于提供此功能的产品线、以及一个 E2E 表单。 UCC14141是集成解决方案的示例。

    虽然 UCC21530数据表可能显示为5us、但我发现即使是在较低的值下、UCC21320死区时间也存在很多噪声问题。 我认为这只是电流输入信号和恒定噪声的降低导致的设计限制。 我认为它确实不会比 UCC21551具有更长的可用死区时间。

     此致、

    肖恩

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    如果我从您的信息中正确理解、那么所有这些 UCC21320、UCC21530、UCC21222以及可能的新 UCC2451驱动器都因相同的原因在 DT 电阻器输入引脚上受到噪声的影响-所有驱动器都具有非常低的感应电流(如果 DT 较长、则为10uA 或更低)。 在这种情况下、替换我们现有的 UCC21222库存将不起作用。

    我不明白您建议使用隔离式浮动电源的方法、同时对 H 桥的高侧使用 N-MOS。 我们已经为 H 桥和 UCC21222驱动器的输出使用了隔离式(从 MCU 电源)直流/直流转换器、但我不知道如何在没有自举电容器的情况下使用 N-Mos 来实现该目的。 TI 是否有任何有关该解决方案的应用手册? 我在 TI 的"圣经"应用手册中没有看到对此类解决方案的引用(见下文)、或者如果我对它的描述不明白的话、也许是我不理解。

    昨天、我使用互补 BJT 驱动 P-MOS 栅极对更新后的高侧开关运行 SPICE 仿真。 这是 TI《圣经》中关于 MOSFET 栅极驱动解决方案 的 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动电路基本原理的一项建议我发现的解决方案位于图 20 . (我阅读过本 TI 应用手册,就像星期天学校的福音研究一样)

    一旦我把这个互补的 BJT 对纳入栅极电路,高侧栅极电容的放电就降低到1.5uS。 我可以很容易地把低侧 MOSFET 的导通调到相同的延迟,从高侧到低侧的关断都有相同的延迟! 在这种情况下、为防止击穿、所需 DT 可能低至1uS (100kOhm DT 电阻器)、或者甚至更低、以确保存在任何真实情况下的差异(例如、 MOSFET 的栅极开关阈值会随着温度的变化而变化...)。

    看起来我们将能够使用我们现有的 UCC21222库存、未来即使没有根本差异、但抗噪声性能可能会稍好一些、也可使用 UCC21551 (可用时)。

    感谢您的帮助

    弗拉德·布兰希

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    我可能理解了您关于在没有 PWM 输入的情况下对 H 桥的高侧使用 N-MOS 的建议。 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理图21中是否有建议 ? 如果是,-我把它从考虑. MOSFET 源极的栅极开关在很大程度上受电感性负载的 EMF 影响-这是一个很大的问题。

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    尊敬的 Vlad:

    UCC21551在 DT 设置上具有抗尖峰脉冲滤波器、有助于消除噪声。 它仍对低频噪声敏感、但比以前的器件要好得多。

    这个应用手册确实是一本圣经! 我用它的训词构建了我的第一个电机逆变器、我希望有一天能在 TI 遇见 Lazlo。 他现在基本上是首席技术官。

    自他的应用手册问世以来、我想知道低功耗"隔离式偏置电源"是否是一项新技术。 我今年刚刚转岗到这支团队(来自 HSAMPS)、许多客户确实使用隔离式直流/直流转换器为其高侧隔离式栅极驱动器供电。 下面是  有关不同类型的概述演示(<-link)。 最常见的是"半分布式"、其中一个变压器用于4个反激式输出:一个输出用于所有低侧驱动器、一个输出用于每个高侧。

    与自举相比、它无需 PWM、支持负关断(更高的开关速度和米勒保护)、还可在启动期间防止高侧米勒导通。

    基本上、"隔离式偏置驱动器"是一个额外的隔离式直流/直流电源、该电源仅适用于每个高侧驱动器并替代每个自举电容器。 不、图21是另一回事。 我认为这不会对非常高的"输入电压"起作用。  

     BJT 图腾柱具有更高的 gm、因此在栅极米勒平坦区域具有更强的驱动强度。 TI 只是不能将其集成到低成本300mm CMOS 晶圆上的栅极驱动器中。  

    我仍然认为 通过 NMOS 降低 Rdson、而非 PMOS 有一定的优势、而且您可能仍想考虑使用"隔离式偏置电源"、但我很高兴您找到了一种有效的解决方案。

    我很高兴见到您、并且祝您设计顺利。

    此致、

    肖恩

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    是的、对于 DT 电阻器、最好使用去毛刺滤波器... 如果很难让更高的电流流入 DT 测量引脚来降低噪声、至少要提供多大的噪声保护、我将会注意到、 mouser.com 会在将来有库存时提供这些电流以供订购。 同时,正如当地人在这里说:"如果它不是坏的,不要修复它。"  可以继续使用 UCC21222。。。 现在、利用 SPICE 中的电阻器值并在栅极使用图腾柱 BJT、我得到的关闭延迟低于下侧开启的时间!  因此、感谢该应用手册中的解决方案(如果您认识作者、请说我对他的"感谢")、额外的保护 DT 时间可以足够低、从而可由 UCC21222保护

    再次感谢

    弗拉德