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[参考译文] UCC21755-Q1:半桥配置、VEE 和 DESAT

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC12050, UCC21755-Q1, UCC21750, UCC21551
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1245583/ucc21755-q1-half-bridge-configuration-vee-and-desat

器件型号:UCC21755-Q1
主题中讨论的其他器件: UCC21750、UCC12050、 UCC21551

大家好!

我正在使用 UCC21755-Q1构建一个带有升压器的半桥电路。 但是、我在使用 VEE (负电源轨)和 DESAT 时遇到了问题。 为了避免产生混淆、我将尝试用单独的章节来解释我面临的设计问题。

DESAT 问题

考虑到我们将使用2MBI300VH-120-50 IGBT 模块和+15V 高驱动电压、根据 IGBT 的技术文档、我们需要7~8 μ V 的 DESAT 阈值。 但是、UCC21755-Q1具有5V 的 DESAT 阈值电压。 减去电阻器和二极管两端的压降、可以得出3.4V 的近似阈值电平。 这是不够的。

问题1:您是否可以建议一种提高 DESAT 阈值水平的方法? (可能需要不同的器件)

问题2:您能提供任何设计建议或提示吗?


VEE 问题



为低侧驱动器获取负栅极电压相对容易、但我正在为高侧应用类似的方法。  

Q3:您能否建议一种向高侧驱动器施加负栅极电压的方法?

Q4:对于图中所示的驱动器部分的设计、您有什么建议或警告吗?

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Harun、

    请在下方查看所附问题的答案:

    问题1: 您是否可以建议一种提高 DESAT 阈值水平的方法? (可能需要不同的器件)

    A1:我会建议使用 UCC21750、它具有9.15V 的典型 DESAT 电压检测阈值、也是 UCC21755的引脚2引脚

    问题2: 您能提供任何设计建议或提示吗?

    答2。 我们建议使用 UCC217xx XL Calculator 工具中的 DESAT 计算器 、该工具可通过www.ti.com/.../UCC21750"获取  

    Q3: 您能否建议一种向高侧驱动器施加负栅极电压的方法?

    A3:我们建议使用齐纳 二极管(下面提供了示例)

    我们推荐 UCC12050作为集成解决方案,

    Q4: 对于图中所示的驱动器部分的设计、您有什么建议或警告吗?

    A4:我们建议在 RST/EN 引脚放置一个输入 RC 滤波器、并在 VCC 引脚至 GND 引脚放置一个高值去耦电容和一个低值去耦电容。 低侧的其他所有元件看起来都良好。 对于高侧、请尝试对低侧进行仿真、同时提供相关建议和用于负偏置/UCC12050 (用于集成解决方案)的齐纳二极管。 请随时参考下面附加的设计建议:

    希望这对您有所帮助!

    此致!

    普拉蒂克

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Pratik、您好!

    感谢您的支持。

    感谢您的建议、我在 UCC21750 DESAT 方面遇到的问题已经得到解决。

    我相信我在使用 VEE 方面也取得了进展。 对于高侧驱动器、我目前计划将齐纳二极管和电阻器组合用于 VEE。 不过,我仍有一些不确定因素。 我把它们写下来。

    问题1:您能否评论上图中的电路并谈谈您对负栅极偏置的看法? (我将齐纳二极管和电阻放在不同的位置、以免走线重叠。 希望这不会造成任何混淆。)

    Q2:高侧自举电容器之后的充电电流所跟随的路径是令人困惑的。 当低侧 IGBT 导通且高侧 IGBT 处于关断状态时、自举电容器 应处于充电状态。 如果我们 将充电电流标记为 I1、它应该遵循下图所示的路径。 我错了吗?

    Q3:能否推荐有关使用 UCC12050的负栅极偏置的文档?

    Q4:您是否注意到电路图中存在与任何其他方面相关的问题?

    谢谢

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Harun、

    感谢您提出这些有趣的问题! 请在下面查找我的评论:

    问题1: 您能否评论上图中的电路并谈谈您对负栅极偏置的看法? (我将齐纳二极管和电阻放在不同的位置、以免走线重叠。 希望这不会造成任何混淆。)

    回答1。 我们强烈建议查看 UCC21551的数据表第31至33页、以更深入地了解负偏置。

    Q2: 高侧自举电容器之后的充电电流所跟随的路径是令人困惑的。 当低侧 IGBT 导通且高侧 IGBT 处于关断状态时、自举电容器 应处于充电状态。 如果我们 将充电电流标记为 I1、它应该遵循下图所示的路径。 我错了吗?

    答2。 请查看以下充电路径(假设 C30是您的自举电容器)、根据我之前的回复中随附的布局建议、我们建议将 COM 作为您的 PGND

     

    Q3: 能否推荐有关使用 UCC12050的负栅极偏置的文档?

    解答3。 最好的建议是 UCC12050的数据表。

    Q4: 您是否注意到电路图中存在与任何其他方面相关的问题?

    A4。 对于 ISO 偏置电源输出上的齐纳二极管负偏置、应将齐纳二极管放置在高侧源和 VEE 之间、如果 使用单电源产生负偏置、并且栅极驱动路径中有齐纳二极管、建议使用以下齐纳二极管 (更多详细信息可在 UCC21551数据表第32页找到):

     

    请参阅下面随附的原理图和布局建议:
    e2e.ti.com/.../UCC21750_5F00_Schematic_5F00_Layout-Recommendation_2800_1_2900_.pdf

    希望这对您有所帮助!

    此致!

    普拉蒂克