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器件型号：TPS48111Q1EVM 您好、Rakesh、
我们在 BMS 系统中使用了 TPS48111Q1。 昨天、我们测试了5块 BMS 板、最终在一个测试设置 单元仿真器中完成。 当我们测试这些板进行 充电放电电流和短路测试时。 我们发现 、我们发现2个电路板出现故障、其中预充电 MOSFET 无法启动。 当我们深入研究这个问题时,我们发现预充电 MOSFET 不能接通可能是由于 FLT_I 信号低了1-2 us。 今天我们捕获了 DSO 上的波形、发现 具有 INP_G 和 EN 信号的 FLT_I 信号。 一切看起来都很好、但预充电 MOSFET 栅极没有升高。
我们只是更改了设置、而没有进行任何电流测试。 我们甚至不知道这个问题是如何发生的。 请参阅波形并支持该问题是如何发生的。
谢谢。此
致、 子哈希 Dhyanie2e.ti.com/.../TPS48111_5F00_Waveforms_5F00_for-_5F00_Current-Fault.docx