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LM25149能否驱动并联 MOSFET 以实现高电流设计、从而帮助解决热问题？ 如果是、那么与双控制器/双相配置相比、该方法有哪些权衡或问题？
尊敬的 Mark：
可以使用并联 FET、您需要避免 QG 非常高的 FET、尤其是在开关频率较高的情况下。
更可行的方法是使用更高的开关频率并通过双相降低输出纹波。
更高的 QG 可能会增加开关损耗、总损耗也会增加、因此并联 FET 的有效性不如预期。
同样对于低侧 FET、在死区时间期间、体二极管导通。
使用并联 LS FET 时、只有一个体二极管导通、因此您必须小心。
此外、电感器的热性能也很重要。
单相还需要一个额定总电流较大的电感器、而双相可以拆分为两个额定电流为半电流的较小电感器、并 将 电感器损耗拆分以进行更多的热管理。
希望这对您有所帮助。
-奥兰多
