[参考译文] BQ78350：CEDV 参数和操作

作为对此的进一步更新、我已尝试启用固定 EDV0。

这会略有帮助、但主要是通过屏蔽问题来实现、因为它会限制 CEDV 范围。 CEDV 计算生成的值明显超出范围这一根本问题并未解决。 TI 显然对披露 CEDV 计算的详细信息非常担忧、如果该计算实际可行、或者有办法查看如何优化参数(不仅仅是使用 GPC)。

 
我已经更新了原始图表、并添加了计算出的 RSOC 以及温度。 您可以看到待定 EDV 如何随着堆栈温度的上升而跟踪到放电的后半部分、 但显然有不止温度有影响这里(注意,我也翻转了我的方式绘制的旗帜的方式,以及与我的原帖相比).

使用 Fixed EDV0、我现在可以准确时序控制三个 EDV 标志、但太晚了、这会导致 RSOC 的平坦区域出现、尽管现在至少达到0%：

您好、Simon、

该数据的 EDV_CMP 设置是什么？

我可以参考 TRM 的"放电结束阈值和容量校正"一节

尊敬的 Shirish：

EDV_CMP 已设置、即 CEDV 已启用。

我熟悉 TRM 的这一部分、但它对我没有帮助。

我将所有 EDV 保持时间设置为2s (最终应用是高脉冲负载、虽然这里我只是使用 CC 进行测试)

CEDV 参数根据 GPC 返回的值进行设置、如操作中所列。

在 TRM "EDV 年龄因子"部分中、针对 LFP 建议将 EDV 年龄因子设置为18。 这种价值只是以信任为基础的，因为没有任何迹象表明这种价值会产生怎样的影响。  

过载电流设置为高于我正在测试的1C 放电、因此 CEDV 应该会生成看起来很正常的新值。

我要在进入 GPC 的校准数据范围内的电流和温度下进行测试。 (进入 GPC 的校准周期在 C/5和2C 的10°C、25°C 和40°上完成。 这些测试在1C 和25°C 条件下进行)  

在我发布的原始图形中、您可以看到挂起的 EDV 差异远远超出任何合理值。 在开始放电时(电池充满电时)、尽管 GPC 被告知 CellTermVoltage 为2850mV、但待定的 EDV 值(即 EDV2)会降至2300mV 以下。 这本质上是这里的核心问题、我已经通过 GPC、得到了返回值、指示性错误低于1%、但当我进行测试时、算法会产生无用的结果。

那么、除了放弃 CEDV 并仅使用固定的 EDV 值之外、如何改善这种情况呢？

您好、Simon、

您能否确认是否遵循了以下有关 GPCCEDV 数据的说明？

对于您的应用、第一个采样率应为典型平均值、第二个采样率应为平均高值。 请注意、高速率不应是最大峰值电流、而是应用中实际可能出现的最大平均持续速率。

放电不必是恒定电流、它可以是应用的典型负载模式、包括恒定功率。 放电前后的电流行可以为零。

尊敬的 Shirish：

电池要求有两种不同的工作模式。

第一个是低速率恒定功率需求、这正是我用于低速率 GPC 数据收集的。 电池为52Ah /1.5kWh、此速率为263W。

第二种运行模式是具有非常可变间距的极端脉冲负载(峰值1000A)。 在最高占空比模式下、这相当于 RMS 约为330A、但这仅持续最长30s。 目的是使这种高强度/短期需求处于"过载"区域、以免干扰 CEDV。 请注意、我当前未以这种方式进行测试、因此与我看到的问题无关、但为了提供背景信息、我提到了这一点。

因此、对于"高速率 GPC 数据采集、我选择了任意100A 恒流放电。 我曾尝试在50A 恒定电流下运行数据收集、但 GPC 工具返回的最大误差高于100A 的误差(1.4%而不是0.8%)。 鉴于指标较差、我尚未尝试使用从50A 数据返回的参数。

另外、可能要提到的一点是、100A 的满容量放电确实会导致电池组内部产生预期的发热。 通常、电池组15°C 在放电结束时温度升高、这显然会对电芯电压产生影响。 我假定这是 GPC 工具尝试补偿的东西之一吗？

进入 GPC 的数据全部是连续放电、在0A 的开头/结尾有短部分。

您好、Simon、

您可以通过对日志放电到较低的电压来获得更好的匹配。 热敏电阻是否与电池紧密耦合？ 在日志中获取电池温度(由于自发热、该温度可能与温度室不同)很重要。

尊敬的 Shirish：

至于热敏电阻、是的、它们与电池紧密耦合。 该电池组由26650节电池的18P 模块构成。 在每个模块内、有一个热敏电阻埋在与电芯连接的中心。 然后、三个热敏电阻并联在一起以馈入76940上的每个 TS 输入、并设置热敏电阻系数以产生正确的结果。 因此、三个 TS 输入中的每一个都是三个电池模块的平均值、这是我们在76940的限制范围内可以做到的最佳结果、但它肯定是电池温度、而不是处理室/环境。

该应用的放电结束时间为2777mV、但我希望电量监测计0略高、因此在 GPC 中将 CellTermV 设置为2850mV。

CUV 设置为高于我期望的2700mV 值、以确保78350的初级 UV 保护在高脉冲负载条件下、独立次级保护在2000mV 之前有效。  

我馈入 GPC 的数据日志放电至2777mV、以匹配预期的放电终点。 当您说 可以通过放电到较低的对数电压获得更好的匹配时、 您建议将电压降低多少？ CUV 点不会远低于此值、但如果您认为可以的话、我可以将 CUV 下移至2300mV 并在 GPC 日志中向下移到该值。

如果我这么做、是否足以将 CellTermV 设置为2850mV 来告诉 GPC GAUGE 0应该位于何处？

对使用何种高速率还有什么建议？ 正如我所说的、在100A 时、我可以从 GPC 获得更好的匹配统计数据、但它确实会将电池温度提高约15°C。 这是否可以、或者是否会更低、以便在放电期间减少自发热？

运行 GPC 日志需要花费大量的时间和资源、因为它可以将电池和测试设备连接一整周、 因此、如果要解决 CEDV 无法产生合理估算的原因、是重新进行校准日志、那么我希望确保这是最后一次。

您好、Simon、

检查电池规格是否支持在如此高的电流下放电。 由于电池容量为52AH、峰值电流为1000A、因此峰值电流消耗为20倍。 您是否能够分享电池规格？

您可以在日志中放电至电池截止电压、以获得更好的匹配。 CellTermV 可单独指定、因此如果放电到该电压以下、则日志不会影响实际终止。 如果这是30s 的 RMS、则高速率为330A。 GPCCEDV 预计并使用自热以获得更好的匹配。   

另外、还应在实际负载下进行测试。 不同的负载 会影响 EDV 学习、因为压降点会发生变化。

尊敬的 Shirish：

我已创建一组新的日志、用于 GPC。 为此、我将 CUV 值从正常的2700mV 降至2300mV、并继续放电直到此时为止。

我在三个温度下记录了日志(10°C、25°C 和40°C)。

在每个温度下、我以四种不同的速率(12.5A、25A、50A = 1C 和100A)记录。

我已经将不同的组合输入到 GPC 中、并查看了产生的误差、然后选择了其中一个较低的组合。
然后、我使用25A 数据作为低速率、使用50A 数据作为高速率、并使用 GPC 工具返回的参数更新78350。

这是我从 GPC 得到的回复：
GPC CEDV 工具、版本=60
当前时基故障中使用的配置
处理类型=1
NumCellSeries=9
CellTermV=2800
LearnSOC%=7
FitMaxSOC%=12
FitMinSOC%=3
ChemType=4
ElapsedTimeColumn=0
电压列=1
温度列=2
CurrentColumn=3

由 FIT 产生的 CEDV 参数。 如果 EDVV 位设置为1、那么在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0必须乘以串行电芯数

电动势3323
EDVC0 210
EDVC1 0
EDVR1 596
EDVR0 2204
EDVT0 4729
EDVTC 11
VOC75 29869
VOC50 29619
VOC25 29181


对于低温和高温、EDV2点的建议 SOC 偏差容差小于5%、对于室温和高温、建议的 SOC 偏差容差小于3%

下面为每个文件提供了这组参数的偏差

文件 SOC 错误、% PASS
roomtemp_lowrate.csv 0.0568911307485473 1
roomtemp_highrate.csv 0.192596775235947 1
hightemp_lowrate.csv -1.02462065198633 1
hightemp_highrate.csv -1.37170335587172 1
lowtemp_lowrate.csv -0.542914433052816 1
lowtemp_highrate.csv 1.206387494866 1

偏差处于建议范围内。 CEDV 参数适用于对电量监测计进行编程、

请注意、我已将此处的 CellTermV 设置为2800mV、这正是我预计从电量监测计中获得0的点。

更新 CEDV 系数后、我已将 CUV 值重置为2700mV 并运行一些测试周期。

在第二个完整周期中、我已经检查了放电以查看 CEDV 是如何运行的。

放电开始时、PendingEDV 降至2640mV -假设我已将 CellTermV 设置为2800、为什么 CEDV 返回的值超出范围？

随着放电继续、PendingEDV 上升缓慢、随着堆栈在放电中翘曲、曲线形状密切跟随温度。

RSOC 值会向下跟踪并在8%停留(大概是因为即使 BatteryLow %设置为7%、但从未达到 EDV2)

然后、堆栈在到达 EDV2之前达到 CUV 截止点、因此没有 EDV 标志被设置。

此配置的图形如下所示。

所以、我仍然坚持最初的问题、即即使在学习周期的范围内的良好条件下、CEDV 也无法正常工作、我浪费了更多的时间、而根本没有任何改进。  

为什么 CEDV 无法正常工作？

尊敬的 Shirish：

如果我绘制 RC 而不是 RSOC、那么在78350与 Digatron (校准电池充电器)报告的实际电压之间仍然会得到良好匹配、直到放电结束时 CEDV 应该踢进。

附加的日志文件和 gg。

请注意、对于所有基于电流的测量、78350的工作比例均为50倍(例如、50A 的实际电流报告相当于1000mA、而报告的容量相当于1040mA 的实际容量52Ah)。  

e2e.ti.com/.../78350-230531-ENG001-after-BH-learning-50-25-pair.gg.csv

e2e.ti.com/.../1172.GPCPackaged.zip

e2e.ti.com/.../7875.GPCPackaged_2D00_report.zip

e2e.ti.com/.../WBH-Evaluation-_2D00_-no-links.xlsx

您好、Simon、

谢谢你。 我将在星期一检查它。

您好、Simon、

在查看日志文件时、我发现更新 FCC 时 MaxError 设置为8%、这意味着 FCC 的上限为

TRM 17.14 0x0C MaxError ()

日志中的放电时间和放电率处于设计限值范围内。

这也支持您的 EDV2未被正确计算的理论。 我需要深入了解这一点。

很抱歉耽误你的时间。 我们的专家不在办公室

我们可能会在明天或星期一发布更新

我今天将继续跟进此问题、并告诉您

我看不到 GPC 计算有任何问题、所有提交的数据和响应看起来都正常。 可能存在一个潜在问题的是电池组中使用的高电压、这是9节串联电池(这不是 CEDV 的常见情况)、 因此、当电压值接近 MaxInt 时、EDV2的计算可能存在溢出问题、从而导致某些中间值"封顶"。 如果是这种情况、我们必须将其转介给固件团队。

作为对这个想法的简单检查、您可以尝试将 EDVV 位设置更改为1。  如果 EDVV 位设置为1、则在写入数据闪存时、EMF 和 EDVR0必须乘以串行电芯数。 在这种情况下、由于计算将以不同的方式进行缩放、我们可以看到、原始问题将消失、或者当一切都缩放到电池组电压时、内部发生的电容将变得更加明显。

尊敬的 Yevgen：

感谢您的回复。

令我惊讶的是、由于78350和其他 CDEV 监测计在市场上可容纳多达16个电池组、因此 CEDV 在"高压"电池组中并不常见。 如果这样永远不起作用、那么我宁愿继续、并将电量监测计重新配置为固定的 EDV 并接受限制。 但考虑到 LFP 化学物质的电压响应的温度敏感性、当我查看数据时、似乎是为采用 CEDV 方法量身定做的、因此为什么到目前为止我一直坚持下去。

您建议设置 EDVV 并重新计算 EMF 和 R0值、但我在78350 TRM 中找不到该位、它位于哪个 DF 寄存器中？  

当我读取 TRM 时、似乎提示 CEDV 计算无论如何仅在单电芯级别有效。 9.1.7表明  
当 CEDV Gauging Configuration [EDV_EXT_CEL]= 0时、bq78350-R1使用单节电池电压测量中的最低单节电池值来进行 EDV 阈值比较。 但是，如果此位 =1，则使用 ExternalCellVoltage()。

我已经尝试了 EDV_EXT_CELL 的两个选项、当前将其设置为1。

您好、Simon、

如果您已经看到固定 EDV 适用于您的应用、这似乎是更好的选择。

您好！

关于如何使 CEDV 给出合理的 EDV 值、是否有任何更新？

同时、我创建了一组固定 EDV 点、旨在减少更可能放电情况下的误差。

 然后、我已经对这些参数进行一些特性分析、看看当我改变比率和温度时它的外观。

您可以看到在低温/高速率下、电压被抑制时、EDV2会提前命中、从而导致 SoC 跳变、以匹配与 EDV2对应的 Battery Low %值。

这是我希望 CEDV 能够改进事情的那种场景、但这假设 CEDV 算法一开始就可以提出一组合理的参数。

您好、Simon、

根据 Yevgen、从 GPCCEDV 获取的 CEDV 数据没有问题。

问题可能在于导致"封顶"的固件计算。  不确定这是否有用,但似乎没有其他解释。