[参考译文] CSD19534Q5A：ESD-HBM 故障

客户测试了15件 其中一些是测试 GS 引脚、另一些是测试 GD 引脚。

所有15个器件都损坏。  

ESD 测试机设置如下：

正负电压脉冲各三倍。 总共六个脉冲。 HBM500V。

您可以帮助您在 我们的实验室中进行 ESD 测试吗？  

或提供相关的测试报告？

客户向我们提出了一个难题、即 MOS 中是否具有 ESD 保护功能。

Half Fabio、

再次感谢您向您的客户推广 TI FET。 CSD19534Q5A 的 ESD 测试已于2014年5月完成。 我正在与同事核实是否可以为客户重新进行测试。 我将在收到更多信息后立即向您提供最新信息。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

e2e.ti.com/.../ESD-Results_5F00_19534.pdf

您好 Fabio、

您能否与客户确认用于测试的测试波形和引脚列表。 我们要将其与 TI 进行的测试 JESD22-A114E 进行比较。

谢谢。

约翰

尊敬的 Fabio：

跟进以查看您是否从客户处获得了任何其他信息。 您还能问他们是如何确定 FET 发生了故障、哪些引脚发生了故障吗？

谢谢。

约翰

您好、John、感谢您的伸出援手。  

我将从客户那里收集更详细的测试数据。

我会在这之后再发送给您。

再次感谢

尊敬的 Fabio：

您是否从客户那里获得了有关此问题的任何其他信息？ 请告诉我。

谢谢。

约翰

再次感谢您的反馈。

这是他们的测试报告。 ① μ A 是 DS 泄漏电流、应为＜1uA。

② μ A 是 GS 泄漏电流、应在0.1uA 范围内。

然后、他们在 DS 引脚和 GS 上添加了 HBM 波形。

客户不知道准确的波形名称。 我想他们刚刚使用了他们以前使用的标准 HBM 波形。

测试后、他们发现 DS 和 GS 短路。 他们测试了数十个样本。

您可以帮助重新测试该内容吗？

您好、John：

我明白了！

感谢您的大力支持。