[参考译文] TPS56C215：有关 TPS56C215中的谷值电流限制的问题

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1241681/tps56c215-question-about-the-valley-current-limit-in-tps56c215

器件型号：TPS56C215

TI 员工、您好！

我对 TPS56C215中的谷值电流限制有疑问。恐怕会产生误解、因此我编辑了 E2E 帖子中的一个图供您参考。您能否告诉我下面的波形是否解释了过流期间的谷值电流限制？了解谷值电流限制-电源管理-技术文章- TI E2E 支持论坛

另外、您能否告诉我电流限制是多少(低侧负电流)？电流是否定义为从低侧整流器 FET 的源极到漏极的方向？

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2387080 points

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您好！

底部的图是正确的。根据数据表、负电流限制设置为4A 典型值。仅当您使用 MODE 电阻器组合将器件设置为在 FCCM 下运行时、才会发生这种情况。如果设置为 Eco-mode、则电流不会低于零。如果您已将器件设置为在 FCCM 模式下运行、则在导通时间内、电流将流经 HSFET、从 Vout 到 VIN。在关断期间、针对4A 谷值限制监测的 LSFET 电流将通过电感器从 Vout 流向 LSFET 的漏极和源极、然后再返回。在死区时间期间、HSFET 体二极管将允许电感器电流通过输入电源和电容器。希望这对您有所帮助。

谢谢。

阿莫德

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2387080 points

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尊敬的 Amod：

非常感谢！

您可以帮助我们推荐谷值电流限制问题吗？

进一步的问题是、您是否具备有关关闭 DVID 的英特尔测试计划经验？我发现、当 DVID 断开时、我的 VR 也会经常触发 LSFET OC 负限值。

此致、

郭先生

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2387080 points

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尊敬的郭先生：

是的、负电流将从 LSFET 的漏极流向源极。负值通常被限制为4A。我更正了一个拼写错误、在之前的回复中给出了更多的解释。

不、我不熟悉导致达到负电流限值的 DVID 向下。首先、请分享您用于本实验的原理图以及负载侧连接的详细信息。此外、当正常运行以及触发负电流限制时、请分享 SW、VOUT 以及 IOUT 或负载波形。

谢谢。

阿莫德

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