[参考译文] CSD17484F4：ESD 二极管正向电压

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器件型号：CSD17484F4
主题中讨论的其他器件： CSD17382F4

您好！

栅极和源极之间的 ESD 保护二极管是否会短路负 Vgs？或者这是双极(背对背)器件吗？

此致、

JEF

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2644145 points

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您好，Jef，

感谢您关注 TI FET。 CSD17484F4在栅极和源极之间使用了单端 ESD 保护二极管。如果源极电压比栅极电压高出超过结压降、则二极管将正向偏置钳位 VGS、约为-0.7V。如果这是一个问题、TI 还提供了具有背靠背 ESD 保护结构且采用相同封装的 CSD17382F4。请注意、背靠背 ESD 结构会导致更高的漏电流 IGSS 和 IDSS。有关 TI FET 中使用的 ESD 保护的更多信息、请参阅以下链接中的技术文章。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2020/06/22/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 2644145 points

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您好、John：

感谢您的快速回复。这回答了我的问题。

此致、

JEF

电源管理（参考译文帖）

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