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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1241805/csd17484f4-esd-diode-forward-voltage
您好！
栅极和源极之间的 ESD 保护二极管是否会短路负 Vgs？ 或者这是双极(背对背)器件吗？
此致、
JEF
您好，Jef，
感谢您关注 TI FET。 CSD17484F4在栅极和源极之间使用了单端 ESD 保护二极管。 如果源极电压比栅极电压高出超过结压降、则二极管将正向偏置钳位 VGS、约为-0.7V。 如果这是一个问题、TI 还提供了具有背靠背 ESD 保护结构且采用相同封装的 CSD17382F4。 请注意、背靠背 ESD 结构会导致更高的漏电流 IGSS 和 IDSS。 有关 TI FET 中使用的 ESD 保护的更多信息、请参阅以下链接中的技术文章。
https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2020/06/22/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include
约翰·华莱士
TI FET 应用
您好、John：
感谢您的快速回复。 这回答了我的问题。
