[参考译文] LM5175：设计审查

您好！

您能不能也分享填写好的快速入门计算器？

到目前为止、关于您的问题：

1.引导顺序。 TPSM5601R5H 在输入电压为12V 时启动、因此 Vbias = 9V；当输入电压为20V 时、LM5175启动、因此当 LM5175启动时、VBIAS 存在。 按照相反的顺序关闭电源。 您认为这种上电/断电顺序正确吗？

在 Vin 小于 Vin 之前 Vbias 是不存在的

2. Rsense。 从"LM5175数据表"公式可以看出、Rsense @ 20安培的额定功率似乎是9、9W、而从"LM5175降压-升压快速启动工具- R9"来看、额定功率似乎是2、52W-2、86W。 哪种电源适合 Rsense？

您能指出数据表中 Rsense 的额定功率为9.9W 的位置吗？

3.电感器选择 您认为 Iout=10A 典型值(1、3-1、8uH)或 Iout=20A 最大值(0、7uH)是不是最佳选择电感器？

我会使用较高的电感来降低最大电感器电流、从而增加饱和电流的裕度。

4.电感极性。 XAL1580-741ME 的引脚1 (标记)似乎指示"端子方向和开始(短)引线。 此处连接高 dv/dt 以实现最低 EMI"。 你认为我把它连接在右侧吗?

是的、引脚1标记表示较短或较长的导联。 要获取该信息、请查看电感器数据表或联系电感器制造商。
对于 EMI、短引线应位于发生较高 dv/dt 的一侧-在本例中、它可能位于输入侧。
如果稍后在测试时遇到 EMI 问题、也可以旋转电感器并再次进行测试。

5.模式。 CCM、启用断续模式适合该应用？ 在过载条件下、我的目标是减少发热、因此断续模式似乎良好。 DCM 模式(而不是 CCM)可以降低功率损耗？

DCM 仅在低负载条件下具有优势。

6.缓冲器。 缓冲器是否连接良好？

最好在 SW1和 SW2处为缓冲器留出空间、这样在需要时无需修改布局即可添加元件。
但这已经放置好了。

7. DIODE_BOOT (D4和 D5)。 你认为 BAS316是一个好选择吗?

简单查看了数据表- 看起来没问题

8. DIODE_FET (D3和 D6)。 您认为 SK5C0A 是一个不错的选择吗?

简单查看了数据表-看起来对我来说还行

9.散热器。 您认为我应该使用散热器(用于 MOSFET)吗？

使用快速入门计算器检查功率损耗- MSOFET 需要加热什么？ PCB 上有多大的覆铜区域来进行散热。

10.设计审查。 您建议修改吗？ 我可以使用 PCBA 吗？

确保在 CS /CSG 和感测电阻之间实现开尔文连接

请遵循数据表的布局规则

您好！

谢谢、现在我明白了、是的、这是正确的。

因此对于10W 功率、您应该考虑让一些电阻器并联、以使能量更分散。

此致、

 斯特凡