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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1239641/non-isolated-converter-topologies-for-lowest-emissions
在尝试减少辐射时、是否有任何更常用的降压或升压或降压/升压拓扑特殊拓扑？
LM5175是否认为具有良好的降压/升压发射？
尊敬的 Valentinas：
在比较关于发射的降压/升压拓扑时、您必须考虑传导发射和辐射发射。
对于传导发射、关键项是输入或输出侧的连续或开关电流、因此输入侧的电流更好、输出侧的电流更好。
通常、对辐射发射而言尤其重要的是布局、而不是强制的 拓扑。 (当然、拓扑可能会有一些影响、但高得多的影响会产生良好的布局。
关于 LM5175：我推荐使用 LM5176、因为这是与 LM5175相比的改进款器件(仅当您需要 DCM 时才需要 LM5175、因为 LM5176不支持此功能)。
此致、
斯特凡
谢谢 Stefan、您对 TPS55288的看法如何？ 它与这两者有何区别？
如前所述、EMI 主要由控制器周围的布局和电路定义。
然而、TPS55288可以通过集成 MOSFET 使电流环路尺寸更小变得更容易。
但是、由于 TPS55288不属于我支持的器件、因此我无法为其提供更多指导。
