[参考译文] TPS51220A：EN 阈值和 EN SS 阈值

蔡锦美 

有关 EN 阈值与 EN1/EN2阈值之间的差异、请参阅数据表第8页和第9页的"PIN 功能"表中的 EN、EN1和 EN2说明。  TPS51220A 具有3个具有不同功能的使能引脚。

第21页"使能和软启动"下的表1包含一个用于 EN、EN1和 EN2交互的逻辑真值表。

图40和以上文本描述了如何使用 EN1或 EN2作为具有内部960μs 软启动或外部控制软启动斜升 VOUT 的数字使能、当 EN 从1V 斜升至2V 时。

Unknown 说：

器件检测用户设计是如何使用内部软启动还是外部软启动？

取决于 ENx 压摆率？

我的意思是、该器件如何知道何时需要实现低于内部软启动200us + 960us 的电压？  

[/报价]

用于 FB1的基准将在内部软启动或外部 EN1引脚从1V 斜升至2V 时以较低者斜升。

如果用户想要实施内部软启动(200μs 延迟+ 960μs)软启动、应在1ms 内将 EN1引脚驱动至2V 以上。

如果用户希望实现外部软启动、则应使用开漏下拉电阻使 EN1保持为低电平、然后使用具有内部 EN1上拉电流源的电容器以获得所需的软启动时间。

Unknown 说：

另一个问题，在客户设计中，他们首先应用12V 输入，然后断言 EN1，是否存在损坏 MOSFET 的风险？

根据我的了解、他们是在启用控制器之前向12V 输出施加12V 电压吗？

我不建议启动100%预偏置。

如果预偏置电压甚至略高于稳压输出电压、TPS51220A 将在某些负载将预偏置放电至低于调节点之前不会开始开关。

虽然 TPS51220A 中使用的预偏置电路有效地降低了预偏置电平、但在具有12V 预偏置的启动期间、它可能不会阻止一些放电。

此外、为高侧 MOSFET 驱动器供电的 VBSTx 电压由内部5V LDO 充电。当 SW 预充电超过2V 时、VBST 最初没有足够的电荷来导通高侧 FET、 可防止 TPS51220A 在开启低侧 FET 之前在电感器中累积正向电流。  如果输入电源无法有效吸收将升压回输入的输出电容器能量、则可能发生的12V 预偏置放电可能会损坏高侧 FET 或其他 VIN 相关电路。

[/quote]

Jim、

不用客气。  如果此问题已解决您的问题、请单击"此问题已解决我的问题"按钮、将此问题标记为已解决。

蔡锦美  

不超过24V 电源正常启动的风险。

另请注意：TPS51220A 在开始切换之前需要 EN 和 EN1为高电平。