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器件型号：BQ76942 尊敬的 TI 专家：
我们在产品中使用了贵公司的 BQ76942芯片、应用电路图如下图所示。 此电路中仅使用一对充电和放电 MOSFET、VGSTH 值为1.0-2.5V。 根据您的建议电路、Gs 之间的电阻是10M。
我的问题如下：1. 由于我们使用的 MOS 的 VGSTH 值相对较小、是否有使用10M GS 电阻的风险？ 如果由于 GS 的高电阻值导致 GS 之间存在小的电流干扰、则将获得更高的电压、这可能导致 MOS 晶体管导通。 因此、我们选择了一个1M GS 电阻。 你有什么好的建议？
2.当我们将10M 电阻修改为1M 时、我们发现 AFE 的功耗从340UA 增加到600UA。 请问原因是什么？
我想知道您对 GS 电阻器的建议以及我们的运行条件中功耗发生变化的原因。 期待您的回复！ 
