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器件型号：LM2104 主题中讨论的其他器件：DRV8245-Q1、 DRV8873、
团队、您好！
我们需要设计一个 H 桥电路来驱动直流电机。
该电机为12V 直流电机、最大电流为2A。
浪涌可高达10A、但仅持续几微秒。
我的困惑与直流电机的反电动势有关。
请你澄清一下我有以下疑问。
1)。 是反 EMF 的放电路径。
即从电机到高侧 FET、然后通过电源返回到电机、以及通过另一侧的低侧 FET？
2)。 是否可以在电机引线上使用击穿电压大于15V 的双向 TVS 二极管来钳制反电动势引起的反向电压？
3)。 如果电源突然断电、将会发生什么情况/或电机如何放电？
4)。 如果整个运行过程中的功率有效、MOSFET Q2和 Q3将用作电机的放电路径、因此我们不需要任何控制、因为它们只是二极管。
如果可以使用这种简单的方法、那么我们为什么要使用 应用手册中提到的一些复杂的衰减模式呢？
5). 我们计划的器件是一个测试系统。 其中一项测试是该电机驱动。
因此、我们计划将直流电机放置在单独的 PCB (例如测试夹具 PCB)中、受测的 PCB (具有 H 桥)将通过继电器连接到该 PCB。 这将大大减少测试的接线时间。
当测试夹具 PCB 的电源受到干扰时、继电器将在电机运行过程中断开。 因此、没有地方对反 EMF 进行放电。
在这种情况下、我是否可以在电机引线上使用击穿电压大于15V 的双向 TVS 二极管来钳制由于反电动势而产生的反向电压？
我在我们的虚线 PCB 中观察到了一些情况、例如 H 桥中的 MOSEFT 在断开继电器电源并重新建立时受损。 这样做的原因是什么？
6)。 如果未提供安全放电路径、电机将发生什么情况？
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