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你好
我已根据 TI 论坛上的讨论对 PCB 板实施了修改。 尽管如此、MOSFET 在高侧和低侧都会受到损坏、PWM 波形仍然不会生成。 我附上了一张 PWM 波形的照片、供您查看。 我正在寻找适合我的设计的 MOSFET 的建议、以防我当前选择的 MOSFET 不正确。 此外、如果能在不同时使用两个 MOSFET 的情况下生成 PWM、或了解 PWM 如何使用 MOSFET 生成、我将不胜感激。 此外、输出电压存在差异、因为它产生的电压是8.5伏、而不是预期的12伏。
您好 Sanjana:
您能否链接先前的 E2E、以便我可以查看历史记录。 如果您尚未完成此操作、请填写设计计算器。
e2e.ti.com/.../0511.LM5148_2D00_LM25148-Quickstart-Calculator-dsb-edits.xlsm
谢谢。
大卫。
我已经包含了指向先前 E2E 讨论的链接。 我随附了原理图、PCB 布局和设计计算器。 请查看交谈历史记录、并建议如何解决直流/直流转换器中的问题。 此外、您能否建议我可以在印度获得的任何 TI 支持、以获得有关我的项目的技术帮助?
E2E 论坛先前讨论的链接: https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1302936/lm5148-power-management-forum
e2e.ti.com/.../RM_2D00_004_2D00_V_2D00_01.PcbDoce2e.ti.com/.../RM_2D00_004_2D00_V_2D00_00-calculator.xlsm
请及时答复上述问题的解决方案。 我热切地期待您的指导。
您好 Sanjana:
部分问题是、您将此层放在一个两层的板上、因此没有实心的接地层。 这样、所具有的距离会产生不良的寄生电感。 输出接地 连接不需要连接到低电感路径来连接到输入接地。 但是、输入电容器接地需要一条低电感路径来连接到低侧 MOSFET 的源极、并且输入电容器+ve 需要连接一条低电感路径来连接到 HS MOSFET 的漏极。 这些元件形成的环路必须紧密。 铜的宽度不太大、但您将形成与寄生电感成正比的环路、因此该布局不是很好。 因此、您会遇到一些问题。 理想情况下、您需要一个位于功率级正下方顶部的实心接地层来形成一个紧密的环路、但此处无法实现这一点。 因此、您需要稍微以不同的方式对其进行布局。 建议您从下面所示的概念开始。 概念相同的多种不同器件。 此外、具有两个顶部 FET 和两个底部 FET 会使情况变得更复杂、也许您可以解决采用单个顶部和底部 FET 的问题?
希望这对您有所帮助。
大卫。