您好！
UCC27714的数据表指出该器件可提供最大4A 的电流。
1.它从哪里获得它? VDD？ 还是从高侧源耦合？ VDD 的稳健性不足以提供4A 电流、即使只是为 MOSFET 电容充电的尖峰也是如此。
2.即使我只想打开/关闭 MOSFET，我是否也需要对 HI 和 LI 输入进行 PWM？ 我只想使用 IC 来控制高侧的 N-MOSFET 的导通/关断。 而不适用于任何开关应用。 我的输入源为400VDC。
谢谢。
Gaurav、您好！
1.从哪里获得它? VDD？ 还是从高侧源耦合？ VDD 不够稳健、无法提供4A、即使只是为 MOSFET 电容充电的尖峰也是如此。
参考 数据表的第7.3.4节和图41、您可以看到该器件的输出级(随附)。 上拉结构采用并联的 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。 NMOS 用于提高峰值拉电流。 UCC27714中的每个输出级都能够提供4A 峰值拉电流和灌电流。 输出电压从 HB-COM 和 VDD HS 摆动。
2. 即使只想打开/关闭 MOSFET、是否也需要对 HI 和 LI 输入进行 PWM？ 我只想使用 IC 来控制高侧的 N-MOSFET 的导通/关断。 而不适用于任何开关应用。 我的输入源为400VDC。 [/报价]您无需对输入进行 PWM、但高侧浮动电源将需要偏置。 您将需要使用外部自举电路来保持高侧偏置。 此 常见问题解答 将详细讨论如何实现这一点。
此致、
资浩
