[参考译文] LM5175：MOSFET 选择问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337195/lm5175-mosfet-selection-questions

器件型号：LM5175

我目前在为基于 LM5175构建的降压/升压转换器选择 MOSFET 方面存在争议。 (16-36V VIN、24V VOUT、10A) Web 工作台似乎仅允许选择特定的 M1/M2 或 M3/M4集。当我选择我想要的 M1时、它附带的 M2 FET 对于设计来说不够用(在降压模式下、在最大 Vin 下、导通损耗太高。我想在那里选择一个不同的 FET、但这也会强制更改 M1、这是我不希望的。

更复杂的是、数据表未提及如何计算 M2 (QL1) FET 的开关损耗、而仅提及导通损耗：

由于 WebBench 似乎迫使我选择 Rdson 相对较高但栅极电荷较低的 FET、给定 M1时、我假设该 FET 在至少一种工作模式下的开关损耗很显著。是否有办法在 WebBench 中获取所需的 FET 组合或通过公式手动计算 M2的损耗？ (注：我尚未开始查看 M3/M4、但它们也是链接的、根据我为 M1/M2选择的组件、可供选择的选项受到限制)

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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您好、Ryan、

降压低侧 MOSFET 的损耗可通过算出：

P_SWITCH.LOSS = 2 *死区时间* Fsw * VSD * I_OUT

死区时间可以设置为50ns

Vsd = MOSFET 体二极管的正向电压

我还可以使用快速入门计算器、它可以让您单独设置 MOSFET：

https://www.ti.com/tool/download/LM5175QUICKSTART-CALC

此致、

斯特凡

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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感谢您的回复 Stefan！我希望能更好的理解这个电路、如果你不介意的话、我有一些跟进的问题。这种公式涵盖了死区期间的体二极管损耗、但是否也有一些与 FET 的导通/关断相关的开关损耗？或者、该电压是否足够小以至于无关紧要、因为电流反向流经体二极管、从而使 Vds 保持较小？我不明白为什么 WebBench 会选择相对较高的 Rdson FET、该 FET 对于该位置而言似乎不合适。或者这只是程序中的一个错误、我应该忽略它吗？

我讲了一点快速启动计算器、并弄清楚了如何使用它来检查 FET 的不同工作条件、并且看到了 FET 损耗图以了解更改特定参数如何影响它。这应该可以帮助我确定更好的 FET 选择。感谢您的建议！我看到它还能够添加外部肖特基二极管、以根据需要减少 Q2/Q3中的死区时间损耗。

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 1624225 points

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您好、Ryan、

没错、MOSFET 的栅极信号控制也存在损耗、但从物理上讲、这些损耗与 LM5175中的栅极驱动器相关、因为此处出现的损耗以及 LM5175需要考虑的功率损耗。

不过、这在某种程度上由 MOSFET 和其选择定义、最后还会影响整体效率。

此致、

斯特凡

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