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[参考译文] BQ25730：MOSFET 和电感温度较高

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25730, BQ25730EVM
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1337849/bq25730-the-mosfet-and-inductance-temperature-are-high

器件型号：BQ25730

您好！

我们使用 BQ25730进行互电荷、现在我们测试 充电电流为3A 且电压为12VDC 时 MOSFET 的温度和电感高于65℃ 的情况、  

因此、请告知这是否正常？ 如果它是不正常的,如何解决这个问题,谢谢。

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Liang、

    它看起来比正常高。 我们测试了130W 输出时的 BQ25730EVM、板载最高温度为84C、这是电感器。  

    您可以订购一个 EVM 并将其用作参考。  

    此致、

    虎

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    你好、Tiger、

    珍珠在通电约半小时后上升到65℃、我们认为如果设计有误、温度会迅速升高。  

    请查看下面的 I2C  配置、是否有任何错误：


        bq25730@6B ｛
                兼容 = "ti、bq25730"；
                REG = <0x6b>；
                INTERRUPT-PARENT = <&GPIO1>；
                中断 =  ；
                pinctrl-names  ="默认"；
                pinctrl-0 = <充电器_GPIO>；

                TI、输入电流 = <6000000>；
                TI、充电电流 = <6000000>；
                ti、max-charge-voltage = <13500000>；
                ti、minimal-sys-voltage = <9600000>；
        }；

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Liang、

    热应力随着时间的推移而累积。 达到热平衡通常需要约10-20分钟。  

    您可以检查电路板效率并估算功率损耗。 这可能与配置或代码无关。  

    BTW、我们还通过在充电选项0寄存器中设置 DIS_STRGRV=0来启用强栅极驱动。  

    此致、

    虎