[参考译文] CSD87350Q5D：降压转换器的 MOSFET 导通损耗

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器件型号：CSD87350Q5D

我尝试理解以下应用手册中给出的同步降压转换器中 MOSFET 导通损耗的公式

为什么占空比与开关的 RMS 电流相乘？为什么它不是简单的 I^2 (RMS)* RDS (ON)？

如果有人能帮忙,那就太好了。非常感谢。

0 admin 4 个月前

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你好，Biswajit，

感谢您关注 TI FET。在导通损耗公式中、对于高侧 FET、电感器 RMS 电流乘以占空比 D、对于低侧 FET、乘以(1 - D)。这是因为高侧 FET 在 Ton 期间导通、而低侧 FET 在 Toff 期间导通。电感器 RMS 电流对于两个导通损耗公式都是通用的、可以表示为：

ILrms =√μ V (Io² μ V x (1 + 1/12 x (Δilpp μ V/IO)² μ V))

高侧和低侧 FET RMS 电流：

IHSrms = D x ILrms

ILSrms =(1 - D) x ILrms

TI 提供多种基于 Excel 的 FET 选择工具、可让用户根据功率损耗、每千片价格或封装对多达3种不同的 TI FET 解决方案进行比较。可以通过以下链接找到同步降压工具。我还包含一个应用手册链接、该应用手册考虑了 FET 选择工具中使用的开关损耗公式中的共源电感。如果您有任何问题、敬请告知。

此致、

约翰·华莱士

TI FET 应用

0 admin 4 个月前

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您好、John：

感谢您的回答、我在下面的应用手册中还有一个问题、其中有 HS RMS 电流公式

我无法使用上述公式建立以下关系

IHSrms = D x ILrms

ILSrms =(1 - D) x ILrms

我正在获取 IHSrms = SQRT (D) x ILrms

我对自己犯错的地方感到困惑

0 admin 4 个月前

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尊敬的 Biswajit：

是的、您是正确的、而且输入错误。它应该是 D 和1 - D 系数的平方根。在第一篇文章中包含的公式中、Io²的表达式及后面的表达式是均方根电流。通过计算这些表达式的平方根、您可以看到、它在第一个公式中为 D 的平方根、在第二个公式中为(1 - D)的平方根。很抱歉让人感到困惑。

此致、

约翰

电源管理（参考译文帖）(Read Only)