[参考译文] BQ77915：放电 MOSFET 故障

尊敬的 Janardhan：

R47和 R48应大得多。 R47应为3.3M、R48应为1M。

尝试交换这些内容、看看是否有任何改进。

此致、

马克斯·韦博肯

您好！

我已经更换了电阻器并再次进行了测试、但没有3.3M、所以我将10M 电阻器放置在 R47处、我认为应该可以。 但在再次进行更改后、我决定设置过流保护条件。 现在底部 IC 无法正常工作。 我检查了 BQ77915 AVDD 和接地两端的电压、它显示为0V、但对于 VCC、它是10V。 顶部 IC 正常、AVDD 电源大约为2.8V、VCC 为10V。 现在、问题可能出在哪呢？

此致、

亚纳尔德汉

更新了：为了查看 IC 是否是问题的原因，我将底部的 IC 更换为新的。 只要给 IC 加电、AVDD 就会显示为3V、但在两到三秒后、它逐渐下降到0V。 为了确认新的 IC 的 AVDD 行为与上一个的行为相同、我再次向其进行了检查。 它的功能也是相同的。 我与他们核实、以确保辅助零件不受损坏。

顶部电池组和底部电池组均以接地为基准。 "你看我怎么样? 有关正确接线的信息、请参阅数据表中的图9-14。

尊敬的 Janardhan：

顶部电池组具有自己的本地接地基准(S_GND)、这个基准应该没有问题。

如果 AVDD 变为低电平、我就认为器件正在进入休眠模式。 您可以检查 PRES 引脚处的电压是多少？ 您也可以尝试将其上拉至器件的 VDD 电压、以查看是否可以唤醒器件。

此致、

马克斯·韦博肯