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[参考译文] UCC20225-Q1:通道 B 的电容 CVDD 计算公式和方法

Guru**** 2378650 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1341103/ucc20225-q1-channel-b-s-capacitance-cvdd-calculation-formula-and-method

器件型号:UCC20225-Q1

嗨、团队,

客户想知道如何计算通道 B 的电容 CVDD? 数据表中仅有一条文字说明、建议值为10uf。

是否有更详细的计算方法可用于评估客户设计需求。

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    您好、Alan!

    VDDB 电容器应:

    • 提供具有有限压降的栅极电荷、
    • 向驱动器提供静态电流、
    • 应该向自举电容器提供电荷、如果使用

    考虑到这一点、VDDB 电容器的大小公式为:

    其中 B 中的总电荷为:

    建议并联更小的~0.22uF 电容来滤除较高频率的噪声、该噪声可能由长 PCB 走线引起。 电容值实际上对高频电容器不那么重要。 最大的影响是电容器的尺寸、对于此电容器、该尺寸应该尽可能小。  

    此致、

    广木市

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    您好,Hiroki,

    你的以下公式中的 QG (VGS)是总 QG 还是以下 Qgs1、Qgs 2?

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    您好、Alan!

    这应该是总栅极电荷 Qg。

    此致、

    广木市

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    您好,Hiroki,

    即、公式中的 Qg 应为 Qg1+Qg2? 对吧?

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    该值应为通道 B 的 MOSFET 负载的总栅极电荷。在数据表中、对于最大规格情况、为32nC。