This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LM74502-Q1:原理图审阅

Guru**** 1178510 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74502-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1341019/lm74502-q1-schematic-review

器件型号:LM74502-Q1

大家好、

我的客户正在 其项目中评估 LM74502-Q1、您能帮助审查并给出一些评论吗? 谢谢。

当使用 LM74502-Q1作为反向连接保护解决方案时、客户会发现它无法实现反向连接保护效果。

实验条件:电源:13V、20A 限流。
两个 MOS 的最大 DS 电压为40V、 稳压器二极管稳压为15V。

此致、

常春藤

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ivy。

    原理图看起来没有问题。 不过、您可以在栅源之间移除电阻器和二极管、因为 FET 的额定电压为20V、并且控制器只能驱动至 VGS ~13V。

    "客户发现它无法实现反向连接保护效果。"

    您能分享 测试用例的波形吗?

    图 VS、VOUT、VCAP、GATE

    此致、

    S·迪尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Shiven:

    请参阅测试波形。

    反向 MOS 在接通反向后约3秒开始击穿  

    此致、

    常春藤

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ivy。

    感谢波形。

    反向 MOS 在倒车后约3秒开始击穿。

    在我可以看到的波形中、只要施加负电压、VOUT 也会被拉低、这是意料之外的。 3s 是从哪里来的?

    此外、您能否加载 VOUT? 比如100欧姆。  

    此致、

    S·迪尔