[参考译文] BQ25570：TEG 设计审查

您好！

Unknown 说：

我不确定如何为 VBAT_OK 和 VBAT_OK_HYST 确定合适的值。

VBAT_OK 和 VBAT_OK_HYST 通常用于某些化学物质的电池过度放电。 如果系统不是设计为由低于特定电压供电、那么这还可以用于停止向系统负载供电。 这是非常特定于应用的东西、因此我将查看为您的应用供电所需的最小 VSTOR 电压。

这是合理的、因为超级电容器应充电至大约5.45V。

像这样的 MLCC 电容器是否合适？

一个 MLCC 电容器应该适合此应用。

Unknown 说：

我将有一个开关来选择电源(USB 或 TEG)，似乎可以连接/断开负载，但请允许我再次检查这一点[/报价]

这应该没有问题。

Unknown 说：

这是不是与 BQ25570一起使用的一个相关选择？

该特定的 TEG 可能无法与 BQ25570配合使用、因为根据数据表、其开路电压为10.8V。 因此、当未加载时、TEG 电压将设置为10.8V。 这不能与5.45V 的 VBAT_OV 一起使用、VBAT_OV 应大于 TEG 电压。 这是因为 VIN_DC 的高输入电压可能会导致未稳压充电、因为 LBOOST 上的电压将高于 VBAT 电压。 这将导致电流流过分离 LBOOST 和 VSTOR 以及 VSTOR 和 VBAT 的两个 FET 的体二极管。

此致、

胡安·奥斯皮纳

[/quote]

您好、Juan：

非常感谢您花时间为我提供宝贵的见解。

Unknown 说：

只是为了确认一下、根据您的原理图、您希望 MPPT 点为输入开路电压值的50%？ 此外、如果您无法直接控制/EN 和 VOUT_EN 信号、我建议将其与您的偏好绑定。 比让它们悬空更好。

实际上、正如数据表中的典型应用电路(第28页)显示的那样、MPPT 被设定为50%(被认为是 TEG 的典型值)、所以我已经决定遵循这个指南。
关于 EN 和 Vout、我有点不确定、但根据数据表和我的需求、似乎应该将 VOUT_EN 连接到 VSTOR、将 EN 连接到 GND、具体情况如下：

Unknown 说：

VBAT_OK 和 VBAT_OK_HYST 通常是由于某些化学品的电池过度放电而使用的。 如果系统不是设计为由低于特定电压供电、那么这还可以用于停止向系统负载供电。 这是非常具体的应用、因此我将查看为您的应用供电所需的最小 VSTOR 电压。

我在这方面仍有困难。
由于我在这里使用超级电容器、因此我认为欠压保护没有关系。
我的目标是以3.3V (不低于)的电压为负载持续供电 、负载是采用 NRF24L01的基本 STM32、不需要很高的功耗。

如果我理解正确、那么将 VBAT_OK 设置为3.3V 并将 VBAT_OK_HYST 设置为3.8V 将适合我的需求、对吧？

Unknown 说：

特定的 TEG 可能无法与 BQ25570配合使用，因为根据数据表，它的开路电压为10.8V。 因此、当未加载时、TEG 电压将设置为10.8V。 这不能与5.45V 的 VBAT_OV 一起使用、VBAT_OV 应大于 TEG 电压。 这是因为 VIN_DC 的高输入电压可能会导致未稳压充电、因为 LBOOST 上的电压将高于 VBAT 电压。 这将导致电流流过分离 LBOOST 和 VSTOR 和 VSTOR 和 VBAT 的两个 FET 的体二极管。

非常清楚！  考虑到以上情况、[TEMP1-0725-0.15]似乎更适合我的应用：
http://www.thermonamic.com/pro_view.asp?id=885

再次感谢您的支持和您投入我的项目的时间。

Unknown 说：

似乎应该将 VOUT_EN 连接到 VSTOR，并将 EN 连接到 GND，

这将确保 VOUT 保持启用状态、能量驱动器也是如此。

Unknown 说：

如果我理解正确，将 VBAT_OK 设置为3.3V 并将 VBAT_OK_HYST 设置为3.8V 将适合我的需要，对吗？

这应该没问题、但3.8V 迟滞似乎有点高。 这需要超级电容器对高达3.8V 的电压进行充电、以便在断开连接后重新连接负载。 如果该产品适合您的应用、则没有问题。

Unknown 说：

非常清楚！  考虑到以上情况、[TEMP1-0725-0.15]似乎更适合我的应用：
http://www.thermonamic.com/pro_view.asp?id=885

这应该没问题、尽管我很好奇、您计划从 TEG 吸收多少电流？

此致。

Unknown 说：

应该可以，尽管3.8V 迟滞似乎有点高。 这需要超级电容器对高达3.8V 的电压进行充电、以便在断开连接后重新连接负载。 如果这适合您的应用，则可以。

感谢您的反馈、然后我将使用+0.3V：VBAT_OK = 3.3V & VBAT_OK_HYST = 3.6V

Unknown 说：

这应该没问题,尽管我很好奇,你计划从 TEG 获得多少电流?

根据数据表、在数据传输过程中：NRF24L01 = 12mA 、STM32 = 10mA。
有了一个舒适的安全裕度,我会说30mA (100mW)但它是一个理论价值。

TEG 还没有选择,如果你有一个好地方寻找或任何建议的选择,我想听到它。


谢谢你。

Unknown 说：

感谢您的反馈,然后我将选择+0.3V : vbat _OK = 3.3V & vbat _OK_HYST = 3.6V[/报价]

应该可以了。

Unknown 说：

根据数据表、在数据传输过程中：NRF24L01 = 12mA 、STM32 = 10mA。
有了一个舒适的安全裕度,我会说30mA (100mW)但它是一个理论价值。

TEG 还没有选择,如果你有一个好地方寻找或任何建议的选择,我想听到它。

[/报价]

这对于放电是很好的。 在充电方面、我建议不要超过100mA 的电流范围、因为电流越高、充电效率会降低。

此致。

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