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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1344111/lmr51610-necessity-of-reverse-current-bypass-diode
您好！
在电源关闭期间、VOUT 预计将高于 VIN。 在使用 LDO 的这种情况下、通常在 VOUT 和 VIN 之间连接一个外部反向电流旁路二极管、以防止反向电流。 LMR51610是否需要在 VOUT 和 VIN 之间连接一个反向电流旁路二极管？
此致、
尊敬的 Kaji：
如果您希望 VIN 低于 VOUT、建议根据您的建议在 SW (阴极+)到 VIN (阳极-)之间使用一个外部肖特基二极管。
当设计具有较大的输入电容网络时、这一点尤其重要、因为这可能会导致较大的峰值电流通过 HSFET 的固有体二极管、而该二极管不支持该电流。
