[参考译文] UCC21750：关于 MOSFET 并联驱动的咨询。

尊敬的 David：

FET 两端的电压有多大、开关时流经其中的电流有多大？ 开关频率是多少？ 根据这些信息、您可以选择一个具有可用散热能力且温度保持在安全温度以下的 FET。  

最后、您应该选择一个栅极驱动器、该驱动器具有足够的输出电流、能够实现快速的开关速度、同时还能够为大型开关提供有用的保护功能。 UCC21750设计用于驱动具有内置优化布局的模块、并可监控模块温度、监控过流情况和钳位米勒电荷注入。

您可以并联驱动许多小型高 Rdson FET 或一个大型低 Rdson FET、并获得相同的开关损耗。 多个 FET 的热阻较低、但米勒电荷注入的电感会高到无法接受的程度。

一言以蔽之、最佳的整体设计通常是采用适当大小的 FET 或模块、以避免增加电感和造成米勒注入危险、同时确保开关足够大或足够高效、以避免过热。 如果您过度设计峰值电流、可以通过增加并联更多来节省成本、但对于高端应用、这样的设计将无法快速或安静地进行切换。

此致、

肖恩

尊敬的 David：  

您为什么选择这个 FET？ 这些 FET 中的2个是否会高效地传导您所需的全部电流？

您的 IVDD 公式用于指示电源需要向栅极驱动器提供多少直流电流。 i_s 安全限制值表示在最坏情况下发生故障时能够提供足够的能量以有可能破解裸片并影响隔离栅。 一些客户设计的直流电流应低于此值、然后使用 LDO 将直流电源电流定序到61mA 或以下。 由于您的57.6mA 低于61mA、因此您可以根据需要添加这种类型的保护。

"良好"并联驱动两个 FET 是一种主观评估。 您的开关损耗将始终下降、但如果栅极驱动器不够大、可能不会下降到 full1/2。 最好的测试方法是、但根据经验、每1nF 或 Ciss 需要大约1A 的输出电流。 UCC21750是10A 驱动器、可能能够驱动10nF 的 Ciss 而不会损失任何效率。

如果使用外部 Rg、那么效率也会下降。

此致、

肖恩

驱动3个并联  NTH4L015N065SC1的各种栅极驱动器：

60A、600V、18V

1个单 nth、30A、450V、18Vgs：